[发明专利]一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910544187.4 申请日: 2019-06-21
公开(公告)号: CN110246913A 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 李国强;郑昱林;王文樑 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18;B82Y40/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;隆翔鹰
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括由下至上的衬底、底层石墨烯层、InGaN纳米柱阵列和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层,还包括位于纳米柱阵列一侧的第一Au金属层电极,以及位于纳米柱阵列另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO2绝缘层,且第一Au金属层电极和SiO2绝缘层均位于底层石墨烯层上方,第二Au金属层电极与SiO2绝缘层通过顶层石墨烯层隔开。所述光电探测器对近红外、可见光至紫外光具有高的灵敏探测,同时具有超快的响应时间以及超高的光响应度的特点(响应时间<80μs,响应度达到2.0×104A/W)。
搜索关键词: 石墨烯层 光电探测器 金属层电极 纳米柱阵列 顶层 可调谐 制备 肖特基接触 可见光 紫外光 光响应度 灵敏探测 响应 衬底 隔开 阻隔
【主权项】:
1.一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器,其特征在于,包括由下至上的衬底(1)、底层石墨烯层(2)、InGaN纳米柱阵列(4)和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层(5),还包括位于纳米柱阵列(4)一侧的第一Au金属层电极(6),以及位于纳米柱阵列(4)另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO2绝缘层(3),且第一Au金属层电极(6)和SiO2绝缘层(3)均位于底层石墨烯层(2)上方,第二Au金属层电极(7)与SiO2绝缘层(3)通过顶层石墨烯层(5)隔开。
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  • 本实用新型公开了一种太阳能电池降翘曲铝背场结构,在铝背场上设置有背电极,其特征在于太阳能电池片的铝背场被网格线分为多个单元,各单元中心为背电极,所述网格线不印刷铝浆;各单元的交界顶点处设置正方形桥段,所述正方形桥段的边长与网格线线条的宽度一致,正方形桥段上印刷铝浆。通过铝背场上一个个间隔的小单元,分散了背电场烧结过程中产生的收缩应力,从而避免了因背电场与硅片的膨胀系数不同而对硅片的电池片弯曲,从而降低了后续工序电池片的隐裂与破片风险,同时还能一定程度上节约铝浆的用量,降低电池片的生产成本。
  • 一种太阳能电池制备的方法及太阳能电池-201810362473.4
  • 郁操 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2018-04-20 - 2019-10-29 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种太阳能电池制备的方法及太阳能电池,用以改进太阳能电池的性能。所述方法,包括:在太阳能电池的核心层的表面沉积透明导电薄膜层;在所述透明导电薄膜层的表面制备栅线,使所述栅线与透明导电薄膜层电连接;对所述栅线进行保护处理;在所述透明导电薄膜层的表面沉积减反射薄膜层;去除对所述栅线的保护。
  • 一种太阳能电池及制备方法-201810369121.1
  • 崔鸽;何永才;董刚强 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2018-04-23 - 2019-10-29 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种太阳能电池及制备方法,用以提高透过率,提升太阳能电池的转换效率。所述太阳能电池,包括:核心层,所述核心层包括:单晶硅片层、钝化层和发射极层;至少一个复合透明导电薄膜层,形成于所述核心层的表面,包括:第一透明导电薄膜层,采用掺氢的透明导电氧化物材料;第二透明导电薄膜层,采用不掺氢的透明导电氧化物材料;栅线,形成于所述复合透明导电薄膜层的表面。
  • 一种适用于金刚石线切割多晶硅电池片的栅线-201822096391.8
  • 钱义龙;王发颖;刘磊 - 青海水利水电集团共和光伏发电有限公司
  • 2018-12-14 - 2019-10-29 - H01L31/0224
  • 本实用新型公开了一种适用于金刚石线切割多晶硅电池片的栅线,包括主栅线、细栅线、多晶硅电池片和固定框架,所述多晶硅电池片设置在固定框架内部,所述多晶硅电池片上均匀分布有主栅线和细栅线,所述主栅线上设置有镂空孔,所述主栅线两端分别设置有第一连接块和第二连接块,所述主栅线两侧设置有凸起,所述凸起一侧设置有细栅线,所述主栅线和细栅线均由金属丝、导电银胶层和银浆层组成,所述导电银胶层和银浆层依次涂覆在金属丝表面上。本实用新型能够很好的避免出现细栅线和主栅线断栅状况的出现。
  • 一种碲化镉太阳电池背接触结构-201920210735.5
  • 高超;周浪;黄海宾;曾庆国 - 南昌大学
  • 2019-02-18 - 2019-10-29 - H01L31/0224
  • 一种碲化镉太阳电池背接触结构,包含一层与碲化镉接触的Mo(O,S)x(2x层接触的背电极层。本实用新型在碲化镉与背电极之间插入一层氧硫化钼(Mo(O,S)x)层,既能抑制背接触处空穴势垒的形成,又能保证光生电流在整个背接触结构中的良好传输,从而提高碲化镉太阳电池的光电转换效率。该背接触结构所涉及的制备工艺均为成熟的制备工艺,可与碲化镉太阳电池现有的制备工艺兼容。本实用新型为高效且低成本的碲化镉太阳电池制备提供了一种技术方案。
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