[发明专利]一种基于激光选区烧结制备高孔隙率氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201910532813.8 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110330344B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 史玉升;程立金;马伊欣;吴甲民;陈双;魏正华;郭肖峰;陈安南 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/628;C04B35/64;C04B38/08 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于激光选区烧结制备高孔隙率氮化硅陶瓷的方法，属于增材制造技术制备无机非金属陶瓷领域，该方法包括步骤：(1)采用机械混合法制备纳米烧结助剂和氮化硅聚空心球的混合均匀的复合粉体，或者通过化学共沉淀法制备纳米烧结助剂包覆氮化硅聚空心球的复合粉体；(2)设计CAD模型，进行切片处理后保存为STL文件，导入SLS成形设备中；(3)采用SLS成形设备对复合粉体进行激光选区烧结，制备出预烧结氮化硅陶瓷；(4)高温烧结后，制备出CAD模型结构的多孔氮化硅陶瓷。本发明方法制备出复合粉体后，通过激光选区烧结制备出预烧氮化硅陶瓷，并经过后处理工艺制备出高孔隙率氮化硅陶瓷，无需排胶、可成形复杂结构、成形件孔隙率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 选区 烧结 制备 孔隙率 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于激光选区烧结制备高孔隙率氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用机械混合法制备纳米烧结助剂和氮化硅聚空心球的混合均匀的复合粉体，或者通过化学共沉淀法制备纳米烧结助剂包覆氮化硅聚空心球的复合粉体；(2)设计CAD模型，对该CAD模型进行切片处理后保存为包含CAD模型数据信息的STL文件，将该STL文件导入激光选区烧结成形设备中；(3)将步骤(1)得到的复合粉体铺设于激光选区烧结成形设备粉缸中，设定SLS成形工艺参数，结合步骤(2)中导入的STL文件，进行激光选区烧结，逐层打印，制备出预烧结氮化硅陶瓷；(4)对步骤(3)获得的预烧结氮化硅陶瓷在保护气氛下进行高温烧结，制备出所述CAD模型结构的高孔隙率氮化硅陶瓷。
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- 2022-01-12 - 2023-07-21 - C04B35/584
- 本发明公开了一种3D打印陶瓷缕空三维线圈骨架结构及其制造方法，该三维线圈骨架进行三维陶瓷线圈骨架的生产，极大的拓宽了设计的思路，绕开传统加工方式的制约，可以采用更加多样的结构形式和外部形状，既保证零件的使用性能又减少材料浪费，降低零件加工成本，提高零件成品率。通过本发明的方式生产的三维线圈骨架零件具有高强度、高韧性、高耐磨性、低密度，耐高温，无磁、不导电等特性，特别在高温环境中热变形小，导热率高，稳定性好，应用本发明的设计和制造方法进行三维线圈骨架设计和制造，能够对零件进行精准成型，利用高温高压保护方式进行陶瓷脱脂和烧结，所制造零件一次成型，零件制造精度和成品率均远高于传统工艺方法。
- 一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法-202310237258.2
- 江楠;邓开;宋经纬;李牧远;何帆 - 乐山职业技术学院
- 2023-03-13 - 2023-07-21 - C04B35/584
- 本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法。所述氮化硅陶瓷基板由如下重量份数的原料制成：氮化硅粉体50‑150份、有机溶剂30‑100份、粘合剂10‑15份、表面活性剂1‑3份、增塑剂3‑10份、烧结助剂5‑15份、分散剂3‑6份。本发明制备的氮化硅陶瓷断裂韧性好、导热性能强，克服了现有的氮化硅陶瓷力学性能与导热性不能兼顾的问题；采用腐殖酸钠和邻苯二甲酸丁苄酯复合增塑剂，提高了材料的断裂韧性；采用硅化石墨与氯化镧复合烧结助剂，提高了材料的散热性能。
- 一种氮化硅陶瓷及其制备方法-202310243595.2
- 江楠;何帆;李牧远;宋经纬 - 乐山职业技术学院
- 2023-03-14 - 2023-07-21 - C04B35/584
- 本发明公开了一种氮化硅陶瓷及其制备方法。由如下重量份数的原料制成：氮化硅粉体40‑120份、有机溶剂30‑100份、粘合剂5‑15份、增塑剂3‑8份、烧结助剂5‑15份、分散剂1‑3份。本发明制备的氮化硅陶瓷，孔隙率高，强度和断裂韧性高；采用聚乙二醇和异丙醇复合有机溶剂，提高了材料的孔隙率；采用聚乙烯醇缩丁醛和醋酸乙烯酯‑叔碳酸乙烯酯共聚物乳液复合粘合剂，提高了材料的强度；采用复合增塑剂，提高了材料的断裂韧性。
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