[发明专利]一种4H-SiC侧栅集成SBD MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910458081.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112018162B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;张艺蒙;王悦湖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种4H‑SiC侧栅集成SBD MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：衬底层；漂移层，位于衬底层上表面；掩蔽层和基区，分别位于漂移层上表面；肖特基电极，位于掩蔽层上表面；第一源极，位于掩蔽层上表面和肖特基电极的上表面；栅介质层，位于第一源极上表面、掩蔽层的上表面以及漂移层第三区域的上表面；多晶硅栅层，位于栅介质层内表面；第一源区和第二源区，均位于基区上表面；第二源极，位于第一源区和第二源区上表面；栅极，位于多晶硅栅层上表面；漏极，位于衬底层下表面。本发明通过在槽栅结构侧壁形成SBD二极管，消除了双极退化效应，减小器件二极管工作模式下开启电压，增大了器件的开关速度，降低了器件的开关功耗，提升了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 集成 sbd mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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