[发明专利]ScAlMgO4 有效
| 申请号： | 201910438215.4 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110578170B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 信冈政树;宫野谦太郎;领木直矢;旭雄大;上田章雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;C30B29/22;C30B15/22;H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种ScAlMgO |
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| 搜索关键词： | scalmgo base sub | ||
【主权项】：
1.一种ScAlMgO
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- 半导体激光元件-202010072729.5
- 高仓辉芳;谷本佳美;谷善彦;津田有三 - 夏普株式会社
- 2020-01-21 - 2023-03-21 - H01S5/02
- 本发明提供可得到获得良好的FFP且可靠性高的FFP的半导体激光元件。半导体激光元件(1)在半导体层(20)中具有：一对第2凹部(130)，其相对于在脊部(110)的两侧形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)侧，夹着脊部(110)对置；和一对第3槽部(140)，其从光出射面(170)与第1槽部(120)平行并且夹着脊部(110)。
- 光电模块、用于操作光电模块的方法及头戴式显示器-202180041373.1
- 马丁·鲁道夫·贝林格;胡贝特·哈尔布里特;安·鲁塞尔 - 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
- 2021-08-12 - 2023-02-14 - H01S5/02
- 本发明描述了一种包括至少一个半导体激光器(10)和光子芯片(20)的光电模块(1)。半导体激光器(10)发射耦入光子芯片(20)中的初级电磁辐射。光子芯片(20)包括至少一个第一波导(210)和具有由电调制信号调制的反射率的至少一个光学布拉格反射器(30)。次级电磁辐射借助于至少一个第二波导(220)耦出光子芯片(20)，其中次级电磁辐射具有取决于电调制信号来调制的主波长。此外，提供了一种用于操作光电模块(1)的方法和包括光电模块(1)的头戴式显示器。
- 专利分类
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
