[发明专利]一种氧缺陷增强光吸收型氧化钨材料的制备方法在审

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申请号: 201910370065.8 申请日: 2019-05-06
公开(公告)号: CN110237838A 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 张红;宁小伟;王干;张亮 申请(专利权)人: 张红
主分类号: B01J23/30 分类号: B01J23/30;B01J35/02
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地址: 233600 安徽省亳州市谯城区药都*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明的目的在于通过一步法引入一种富含氧缺陷的WO3纳米片材料,将其用于光催化降解催化剂时,其表现出了良好的光降解性能。本发明提出的一种富含氧缺陷的WO3纳米片材料,其是通过在生成纳米片结构的同时与氧缺陷引入剂‑硝酸同步反应,也就是在生成纳米片的过程中,其表面上不断的引入氧缺陷,这些氧缺陷的引入,有利于该纳米片材料增强其光吸收性能,从而有利于其光降解性能的提升。
搜索关键词: 氧缺陷 纳米片材料 引入 光降解性能 纳米片 富含 光催化降解催化剂 光吸收性能 氧化钨材料 同步反应 光吸收 一步法 硝酸 制备 表现
【主权项】:
1.一种氧缺陷增强光吸收型氧化钨材料的制备方法,其特征在于:主要包括以下几步,第一步,称取适量的六氯化钨,将其溶解在乙醇和二甲苯的混合溶剂中,充分搅拌,直至混合均匀;第二步,向混合均匀的混合液中再加入适量的PVP和硝酸,继续搅拌至均匀;第三步,将步骤二中搅拌均匀的混合液转移到水热反应釜中,然后密封,在180‑220℃下反应15‑20h;第四步,反应结束后,去除反应釜自然冷却至室温,然后使用去离子水和乙醇混合液洗涤悬浮在反应釜中的产物3次,之后,烘干研磨就可使用。
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