[发明专利]通过电线放电加工实施SiC材料切片的方法有效

专利信息
申请号: 201910367570.7 申请日: 2019-05-05
公开(公告)号: CN110435022B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: F.J.桑托斯洛德里格斯;K.德拉卢特;C.弗里扎;M.海因里奇;N.奥贾;R.鲁普 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B28D7/04;H01L21/306
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 周学斌;申屠伟进
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种由从SiC晶锭切割的较厚的基底SiC晶片出产较薄产品晶片的方法,该方法包括:利用支撑衬底来支撑基底SiC晶片;以及在由支撑衬底支撑基底SiC晶片时,作为电线放电加工(WEDM)过程的部分,使用引线在与基底SiC晶片的第一主表面平行的方向上切穿基底SiC晶片,以将产品晶片从基底SiC晶片分离,产品晶片当从基底SiC晶片被切割时,被附接到支撑衬底。
搜索关键词: 通过 电线 放电 加工 实施 sic 材料 切片 方法
【主权项】:
1.一种由从SiC晶锭切割的较厚的基底SiC晶片出产较薄产品晶片的方法,所述方法包括:利用支撑衬底来支撑所述基底SiC晶片;以及在由所述支撑衬底支撑所述基底SiC晶片时,作为电线放电加工(WEDM)过程的部分,使用引线在与所述基底SiC晶片的第一主表面平行的方向上切穿所述基底SiC晶片,以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离,所述产品晶片当从所述基底SiC晶片被切割时,被附接到所述支撑衬底。
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  • 本发明涉及光伏硅片领域,具体的说是一种光伏硅片切片预处理装置,包括底座,所述底座上设置有支撑机构,所述支撑机构用于支撑硅棒;所述底座上设置有定位机构,所述定位机构受到支撑机构的挤压转动,转动后的定位机构对粘胶板进行定位;所述支撑机构上连接有伸缩件;所述伸缩件的伸缩端上设置有支撑块,所述伸缩件的顶部连接有转动的压紧机构,当所述支撑机构在硅棒的重力下向下移动,支撑机构带动伸缩件向下移动,伸缩件带动压紧机构向下移动,压紧机构在下移的过程中与所述支撑机构啮合传动,所述压紧机构上设置有挤压机构,所述挤压机构包括压板,所述挤压机构用于将粘胶板压制在硅棒的表面上。
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  • 何其金;何飞;张靖 - 扬州永旭新能源科技有限公司
  • 2023-04-10 - 2023-10-03 - B28D5/00
  • 本实用新型公开了硅片切割技术领域的一种单晶硅片切割装置,包括,安装箱,所述安装箱上设置有切割室,且切割室内设置有切割装置本体,所述切割室的前侧设置有透明门,所述切割室的左侧与进气管连通,所述切割室的顶部设置有传输管的一端连通,所述传输管的另一端连接在处理组件上;所述处理组件包括连接在传输管上的固定箱,所述固定箱的前侧铰接有检修门,所述固定箱的底部内壁设置有称重传感器,所述称重传感器的顶部连接有安装槽,所述安装槽内设置有过滤组件,通过抽风机,使得切割室内切割产生的粉尘可以从传输管和连接管进入到安装槽中,进而通过过滤网进行过滤,避免粉尘飘入到工作环境中,对机器设备和工人身体造成损害。
  • 一种蓝宝石精确定位切割装置-202311019308.6
  • 杨润昊;杨润瑶;杨心宏 - 南京超晶光电新材料科技研究院有限公司
  • 2023-08-14 - 2023-09-29 - B28D5/00
  • 本发明涉及宝石加工技术领域,尤其涉及一种蓝宝石精确定位切割装置,包括联动加工台,所述联动加工台上安装有用于夹紧加工件的安装座和用于安装切割件的切割架,所述切割架上安装有切割组件,所述切割组件包括角度调节部,所述角度调节部活动安装切割架上,用于调整切割件的角度,实现切割件的摆动切面动作,安装座和联动加工台之间设有联动结构,联动结构起连接作用时,安装座和联动加工台一起旋转,反之,联动结构不起连接作用时,联动加工台单独旋转进行切割工作,此过程,通过调节加工件本身的角度实现切割面的调节,操作方便,提高切割精度及加快切割的进度。
  • 一种P型碳化硅晶片及其加工方法-202310819157.6
  • 张泽盛;杨蕾;龚春生 - 北京晶格领域半导体有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-09-29 - B28D5/00
  • 本发明提供了一种P型碳化硅晶片的加工方法,加工方法包括如下步骤:(1)对P型碳化硅单晶进行切割,得到多个晶片;(2)将每个晶片分别进行研磨和抛光,得到所述P型碳化硅晶片;其中,所述抛光包括第一阶段抛光和第二阶段抛光,所述第一阶段抛光所用的抛光液为包含氧化铝的抛光液,所述第二阶段抛光所用的抛光液为包含氧化硅的抛光液。采用该加工方法对P型碳化硅晶片进行加工,不易出现加工缺陷,且能够得到表面粗糙度较小的P型碳化硅晶片。
  • 上顶紧件、退线方法和开方机-202310884108.0
  • 李海威;李波;梁兴华;范舒彬;郑光健;陈赐恩;王文仁;林周琛;沈锦锋;陈超杰;何德镜;陈武森 - 福州天瑞线锯科技有限公司
  • 2023-07-19 - 2023-09-29 - B28D5/00
  • 本发明涉及单晶硅棒的开方设备,具体涉及一种上顶紧件,基于所述上顶紧件的退线方法,以及包含有所述上顶紧件的开方机。其中,所述上顶紧件,用于对边皮的顶部进行轴向固定,所述边皮的顶部轮廓具有切割边,包括边皮掰开结构、至少两个压块,以及独立地与所述压块相连的竖向驱动结构;所述压块安装在所述边皮掰开结构上,所述边皮掰开结构用于驱动所述压块横向移动;至少一个所述压块与所述切割边之间的间距与其余所述压块与所述切割边之间的间距不同;所述竖向驱动结构用于驱动所述压块的底部抵接在所述边皮的顶面。本发明所提供的上顶紧件结合特定的上退线方法可实现切割线退线过程中对边皮的固定。
  • 一种多块晶棒校棒机装置-202320992864.0
  • 李玉;蒋德政;韩先富;杨长领;柳亚伟 - 上海朴席自动化工程有限责任公司
  • 2023-04-27 - 2023-09-29 - B28D5/00
  • 本实用新型公开了一种多块晶棒校棒机装置,该装置包括顶升机构、支撑模块、晶棒固定模块、晶棒调整模块和测量模块,所述顶升机构用于抬升晶棒,所述支撑模块用于支撑晶棒,所述晶棒固定模块用于固定晶棒,所述晶棒调整模块用于调整晶棒间的间距大小,所述测量模块用于测量晶棒之间的间距大小。本实用新型的装置通过晶棒固定模块、晶棒调整模块和测量模块的配合实现多块晶棒间距的自动调整,减少人工,提高了生产效率,提高了生产安全性。
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