[发明专利]一种氧化镓半导体叠层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910328191.7 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110085661B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 陈梓敏;王钢;陈伟驱 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 顿海舟;李唐明 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种氧化镓半导体的叠层结构及其制备方法，包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化镓半导体层，所述硅衬底和氧化镓半导体层之间设置有金属插入层；所述硅衬底表面与硅(111)晶面存在0°～10°的偏离角；所述金属插入层是立方相的钨、钼、铱、铑、钒、铬、铂、钯、铁、镍、铜、金、银、铝中的一种或多种，或者是六方相的铼、钌、铪、锆、钛、钴中的一种或多种；所述氧化镓半导体层为具有六方对称性的ε相或α相氧化镓，厚度不超过50μm。本发明通过引入金属插入层，解决了高质量Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓半导体的叠层结构，包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化镓半导体层，其特征在于：所述硅衬底和氧化镓半导体层之间设置有金属插入层；所述硅衬底表面与硅(111)晶面存在0°～10°的偏离角；所述金属插入层的晶体结构为六方相或立方相；所述氧化镓半导体层为ε相或α相氧化镓。
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