[发明专利]一种磁振子晶体磁传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910241090.6 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109811325B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 钟智勇;王城;刘爽;金立川;文天龙;廖宇龙;唐晓莉;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/58;G01R33/00;G01R33/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种磁振子晶体磁传感器及其制备方法，属于磁传感技术领域。所述磁传感器包括钆镓石榴石衬底，位于钆镓石榴石衬底之上的钇铁石榴石薄膜，位于YIG上的静磁表面波激发天线和接收天线，位于YIG上的氧化锌薄膜以及位于氧化锌薄膜之上的带有反射栅的等距叉指电极。本发明提供的一种磁振子晶体磁传感器，是利用外界磁场发生微小变化与磁振子晶体中传播的SMSW的吸收峰发生偏移的线性关系来实现磁探测的。本发明方法得到的SAW频率较高，可有效提高磁振子带隙结构的温度稳定性，进而提高磁传感器的温度稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁振子 晶体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁振子晶体磁传感器，包括钆镓石榴石衬底，位于钆镓石榴石衬底之上的钇铁石榴石薄膜，位于钇铁石榴石薄膜上的静磁表面波激发天线和接收天线，位于钇铁石榴石薄膜上的氧化锌薄膜以及位于氧化锌薄膜之上的带有反射栅的叉指换能器。
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