[发明专利]在边缘区域具有场电介质的半导体器件

摘要

本发明涉及在边缘区域具有场电介质的半导体器件。一种半导体器件包括具有布置在有源区域中且不在有源区域与侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元的半导体本体。场电介质邻接半导体本体的第一表面并且在边缘区域中将连接到晶体管单元的栅极电极的导电结构与半导体本体相分离。场电介质包括从第一垂直延伸部到第二更大的垂直延伸部的过渡部。该过渡部在半导体本体中的非可耗尽延伸区的垂直突出部中，其中非可耗尽延伸区具有晶体管单元的本体/阳极区的导电类型，并且电连接到本体/阳极区中的至少一个。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括布置在有源区域中且不在有源区域与所述半导体本体的侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元，所述边缘区域包括位于半导体本体的拐角中的栅极区域，所述栅极区域沿所述栅极区域的两侧邻近所述有源区域；场电介质，其邻接所述半导体本体的第一表面并且在所述边缘区域中将连接到所述晶体管单元的栅极电极的导电结构与所述半导体本体相分离，所述场电介质包括从第一垂直延伸部到第二更大的垂直延伸部的过渡部；所述晶体管单元的本体/阳极区的导电类型的且电连接到所述本体/阳极区中的至少一个的非可耗尽延伸区，其中，所述过渡部在所述非可耗尽延伸区的垂直突出部中，以及金属栅极焊盘，处于所述栅极区域的垂直突出部中，其中所述非可耗尽延伸区以均匀宽度并且沿留出栅极区域的圆周线围绕所述有源区域，其中所述非可耗尽延伸区沿所述非可耗尽延伸区的整个长度在朝向所述有源区域的横向方向邻接半导体本体的第一主表面。