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公布日期
2019-09-17 公布专利
2019-09-13 公布专利
2019-09-10 公布专利
2019-09-06 公布专利
2019-09-03 公布专利
2019-08-30 公布专利
2019-08-27 公布专利
2019-08-23 公布专利
2019-08-20 公布专利
2019-08-16 公布专利
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一种高性能氮化硅多孔陶瓷的制备方法在审

申请号: CN201910207930.7 全文下载
申请日: 2019-03-19 公开/公告日: 2019-06-28
公开/公告号: CN109942310A 主分类号: C04B38/00
申请/专利权人: 广东工业大学
发明/设计人: 于俊杰;魏万鑫;郭伟明;林华泰
分类号: C04B38/00;C04B35/591;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64
搜索关键词: 氮化硅多孔陶瓷 制备 烧结助剂 生坯 冷等静压成型 氮化 程序升温 多孔陶瓷 互锁结构 混合粉体 基体原料 三维网络 制备工艺 气孔率 混料 抗弯 催化剂
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【摘要】:
发明公开了一种高性能氮化硅多孔陶瓷的制备方法,是以Si粉为基体原料,以MgO‑Re2O3为烧结助剂,以MO‑B为烧结助剂和氮化催化剂,混料、干燥后,得到Si‑MgO‑Re2O3‑MO‑B混合粉体,再通过冷等静压成型获得生坯;然后将生坯进行程序升温,获得一种三维网络互锁结构的高性能氮化硅多孔陶瓷。本发明制备得到的多孔陶瓷的气孔率高、抗弯强度高,制备工艺简单。
 
【主权项】:
1.一种高性能氮化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于包括下述步骤:(1)以Si粉为基体原料,以MgO‑Re2O3为烧结助剂,以MO‑B为烧结助剂和氮化催化剂,按照Si:MgO‑Re2O3:MO‑B的体积分数比为(90~80):(2~8):(8~12)的配比经混料、干燥后,得到Si‑MgO‑Re2O3‑MO‑B混合粉体;(2)将Si‑MgO‑Re2O3‑MO‑B混合粉体放入金属模具中成型后,再通过冷等静压成型获得生坯;(3)将生坯放入管式炉中在900~1100℃真空下保温0.5~2h,这个过程主要是使MO与B反应生成MB2;保持真空将温度升至1200~1300℃之后通入0.1~0.2MPa的流动N2,并将温度升至1350~1400℃保温1~4h,此时MO将作为氮化催化剂促进Si粉氮化;再将温度升至1450~1500℃并保温1~4h,这个过程主要进行α→β‑Si3N4的相变并在烧结助剂MgO‑Re2O3‑MB2的作用下促进β‑Si3N4相沿c轴方向长大形成长棒状晶粒,从而获得一种三维网络互锁结构的高性能氮化硅多孔陶瓷。
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