[发明专利]基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法有效
| 申请号： | 201910194342.4 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109811324B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王浪平;王淏;王小峰 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 毕雅凤 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法,涉及制备掺杂类薄膜的领域,为了解决现有制备掺杂类薄膜技术在放电过程易相互干扰，易出现靶中毒现象，薄膜的成分难以自由调节，沉积效率较低且易引入杂质的问题。本发明的装置采用双直流电源，通过控制电源U1和电源U2的电压值控制薄膜的掺杂含量。本发明适用于制备掺杂类薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 异质双靶高 功率 脉冲 磁控溅射 制备 掺杂 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置，其特征在于，包括电容C1、电容C2、三极管V1至V4、二极管D1至D4、电源U1、电源U2和负载R；电源U1的正极同时连接电容C1的正极、三极管V1的集电极和二极管D1的阴极，三极管V1的发射极连接三极管V2的集电极，二极管D1的阳极连接二极管D2的阴极，电源U1的负极同时连接电容C1的负极、三极管V2的发射极和二极管D2的阳极，电源U2的正极同时连接电容C2的正极、三极管V3的集电极和二极管D3的阴极，三极管V3的发射极连接三极管V4的集电极，二极管D3的阳极连接二极管D4的阴极，电源U2的负极同时连接电容C2的负极、三极管V4的发射极、二极管D4的阳极和电源U1的负极，负载R的一端同时连接三极管V1的发射极和二极管D1的阳极，负载R的另一端同时连接三极管V3的发射极和二极管D3的阳极；双靶形成负载R，负载R两端的电压即双靶之间的电压。
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