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公布日期
2019-09-17 公布专利
2019-09-13 公布专利
2019-09-10 公布专利
2019-09-06 公布专利
2019-09-03 公布专利
2019-08-30 公布专利
2019-08-27 公布专利
2019-08-23 公布专利
2019-08-20 公布专利
2019-08-16 公布专利
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一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及制备方法在审

申请号: CN201910191986.8 全文下载
申请日: 2019-03-14 公开/公告日: 2019-06-28
公开/公告号: CN109942291A 主分类号: C04B35/47
申请/专利权人: 华南理工大学
发明/设计人: 吕明;贺凡
分类号: C04B35/47;C04B35/622;C04B35/64;H01G4/12
搜索关键词: 基本原料 电容器 陶瓷电容器 流延成型 无机单晶 基晶 界层 烧成 制备 晶界层电容器 质量百分比 晶粒 表面涂覆 单晶颗粒 还原气氛 施加电极 氧化烧成 耐电压 氧化物 混均 浆料 还原 生长
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【摘要】:
发明公开了一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及其制备方法,电容器的材质成分包括基本原料和无机单晶颗粒,单晶颗粒的加入量上限为基本原料总质量的20%,基本原料按质量百分比包括SrTiO394‑98%、Nb2O50.05‑1%、La2O30.05‑1%、SiO20.5‑2%、MgO0.2‑1%、Al2O30.2‑1%和TiO20.1‑1%,且基本原料的组分和为100%。将上述原料混均流延成型,还原气氛中烧成,然后在表面涂覆氧化物,空气中氧化烧成,施加电极,得到SrTiO3晶界层电容器。本发明直接将无机单晶颗粒加入流延成型浆料中,在还原烧成中促进了晶粒的均匀生长,有益于电容器耐电压可靠性的提高。
 
【主权项】:
1.一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器,其特征在于,所述电容器的材质成分包括基本原料和外掺杂无机单晶颗粒,其中所述单晶颗粒的加入量上限为基本原料总质量的20%,所述基本原料按质量百分比包括SrTiO3 94‑98%、Nb2O5 0.05‑1%、La2O3 0.05‑1%、SiO2 0.5‑2%、MgO 0.2‑1%、Al2O3 0.2‑1%和TiO0.1‑1%,且所述基本原料的组分之和为100%。
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