[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201910115198.0 申请日: 2019-02-14
公开(公告)号: CN110890341B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 铃木优;菊地祥子;稻叶芽里;村上润;重冈隆;稻垣洋;奥畠隆嗣 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538;H01L23/482
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种较好运行的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:半导体衬底;多个第1焊垫电极,设置于半导体衬底;多条第1配线,与多个第1焊垫电极分别电气连接;第1电极,与多条第1配线共通连接;第2焊垫电极,设置于半导体衬底;及第1电阻部与第1保护元件,串联连接于第1电极与第2焊垫电极之间。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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