[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法

摘要

本发明的太阳能单电池(1)包括：具有p型表面和n型表面的光电转换部(20)、p侧导电体(50a)、p侧Sn层、n侧导电体(40a)、n侧Sn层、形成于p型表面(20bp)和p侧导电体(50a)之间的p侧种子层(54)、形成于n型表面(20bn)和n侧导电体(40a)之间的n侧种子层(44)、覆盖p侧种子层(54)且由与p侧种子层(54)不同的金属构成的p侧金属层(57)、覆盖n侧种子层(44)且由与n侧种子层(44)不同的金属构成的n侧金属层(47)。另外，铜对于p侧金属层(57)的扩散系数比铜对于p侧Sn层(56)的扩散系数小。而且，铜对于n侧金属层(47)的扩散系数比铜对于n侧Sn层(46)的扩散系数小。

主权项

1.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：在主面上具有p型表面和n型表面的光电转换部；设于所述p型表面上的p侧导电体；设于所述p侧导电体的表面的p侧导电体表面保护层；设于所述n型表面上的n侧导电体；设于所述n侧导电体的表面的n侧导电体表面保护层；形成于所述p型表面与所述p侧导电体之间的由包含铜的金属构成的p侧种子层；形成于所述n型表面与所述n侧导电体之间的由包含铜的金属构成的n侧种子层；覆盖所述p侧种子层的、由与所述p侧种子层不同的金属构成的p侧金属层；和覆盖所述n侧种子层的、由与所述n侧种子层不同的金属构成的n侧金属层，铜对于所述p侧金属层的扩散系数比铜对于所述p侧导电体表面保护层的扩散系数小，铜对于所述n侧金属层的扩散系数比铜对于所述n侧导电体表面保护层的扩散系数小。