[发明专利]氮化铝模板及其制备方法有效
| 申请号： | 201910066040.9 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111477534B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张纪才;李金峰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发;王锋 |
| 地址： | 100000 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝模板及其制备方法。所述氮化铝模板的制备方法包括：将衬底置于反应腔室内，并于衬底上制备AlN或BN缓冲层；于所述AlN或BN缓冲层上制备AlN外延层，并在所述AlN外延层内制备形成至少BAlN插入层，进而形成所述的氮化铝模板。本发明实施例提供的氮化铝模板及其制备方法，通过高温沉积AlN或者BN缓冲层，可采用初始生长中AlN或者BN中的反相畴，实现位错密度的降低和应力的弛豫；同时外延生长中采用间断供应硼源的方法，进一步利用BAlN插入层释放了外延生长过程中积累的应力和降低了缺陷密度，保证高质量AlN单晶薄膜或者厚膜的生长；由于BN的带隙与AlN的带隙接近，所以不影响紫外光的透过率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 模板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
