[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件在审

专利信息
申请号: 201910025963.X 申请日: 2019-01-11
公开(公告)号: CN110556428A 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 金周永;宋炳权;朴正一;郑知永 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/40;H01L27/12;H01L27/28
代理公司: 11105 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种薄膜晶体管,其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分,所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。
搜索关键词: 半导体层 薄膜晶体管 栅极绝缘层 栅电极 凹陷 薄膜晶体管阵列面板 电子器件 表面处 电连接 漏电极 源电极 制造
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,包括:/n栅电极,/n与所述栅电极重叠的半导体层,所述半导体层包括多个孔,/n在所述栅电极与所述半导体层之间的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层包括多个凹陷部分,所述多个凹陷部分在所述栅极绝缘层的面对所述半导体层的表面处,以及/n电连接到所述半导体层的源电极和漏电极。/n
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