[发明专利]使用自旋霍尔效应的磁传感器有效
| 申请号： | 201880018984.2 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110418973B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | Q·勒;D·J·西格尔;X·刘;D·莫里;Y·奥恩;H·江;G·刘;D·P·德鲁伊斯特;J-L·李 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;G01R33/09;G01R33/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了使用自旋霍尔效应的磁传感器及其制造方法。一种此类磁传感器包括：自旋霍尔层，该自旋霍尔层包含导电的非磁性材料；磁性自由层，该磁性自由层与自旋霍尔层相邻；一对推动端子，该一对推动端子被配置成使电流能够在垂直于自由层和自旋霍尔层的平面的方向上穿过磁性自由层和自旋霍尔层；和一对感测端子，该一对感测端子被配置成感测当电流穿过磁性自由层和自旋霍尔层时的电压，其中推动端子和感测端子中的每一者与其他端子电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 自旋 霍尔 效应 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，包括：自旋霍尔层，所述自旋霍尔层包含导电的非磁性材料；磁性自由层，所述磁性自由层与所述自旋霍尔层相邻；一对推动端子，所述一对推动端子被配置成使电流能够在垂直于所述自由层和所述自旋霍尔层的平面的方向上穿过所述磁性自由层和所述自旋霍尔层；和一对感测端子，所述一对感测端子被配置成感测当所述电流穿过所述磁性自由层和所述自旋霍尔层时的电压，其中所述推动端子和所述感测端子中的每一者与其他端子电隔离。
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