[实用新型]正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构有效
| 申请号： | 201822183878.X | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN209401626U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构；一种正入射共面电极阵列光电芯片，包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层；芯片上还包括多个分光单元，每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；分光槽向芯片正面的方向开口并贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有至少一个第二电极；每束入射光射向对应的分光单元，每束入射光的一部分从对应的分光单元的分光槽射出，每束入射光的另一部分从对应的分光单元的吸光区进入到吸收层内进行光电转换；故本实用新型提供的正入射共面电极阵列光电芯片能够对多束入射光的每束入射光分别进行分光和光功率监控。 | ||
| 搜索关键词： | 分光单元 入射光 共面电极 光电芯片 正入射 分光槽 吸收层 本实用新型 封装结构 芯片 吸光区 光功率监控 光通信传输 第二电极 第一电极 光电转换 芯片正面 缓冲层 顶层 衬底 分光 射出 开口 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种正入射共面电极阵列光电芯片，其特征在于：包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层，所述缓冲层位于所述吸收层和所述衬底之间；所述顶层位于所述吸收层与所述缓冲层相背的一表面，所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面；所述芯片上还包括多个分光单元，每个所述分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；所述分光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述吸光区和所述第一电极均设于所述芯片的正面，并所述第一电极位于所述吸光区的外侧；所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极，所述第二电极与所述缓冲层相连接；以所述芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的所述分光单元，每束入射光的一部分从对应的所述分光单元的分光槽射出，每束入射光的另一部分从对应的所述分光单元的吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。
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- 本实用新型实施例提供一种微桥结构和微电子器件，该微桥结构包括读出电路基底，该读出电路基底上制作有第一引出电极；位于读出电路基底一侧且覆盖第一引出电极的第一钝化层；位于第一钝化层远离读出电路基底一侧的第二引出电极；位于第一钝化层远离读出电路基底一侧的第二钝化层，该第二钝化层覆盖第二引出电极的部分区域；位于第二引出电极远离第一钝化层一侧的桥墩结构，该桥墩结构与第二引出电极接触；其中，第一钝化层上开设有贯穿该第一钝化层两侧的第一通孔，第一通孔中填充有用于第一引出电极与第二引出电极连接的第一连接电极，本实用新型能够有效降低微桥结构的工艺难度，确保器件良率。
- 指纹采集器件及其制作方法、指纹采集面板及显示面板-201610306097.8
- 刘英明;董学;薛海林;陈小川;王海生;杨盛际;丁小梁;王鹏鹏;赵卫杰;李昌峰;刘伟 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
- 2016-05-10 - 2019-04-05 - H01L27/144
- 本发明的实施例提供一种指纹采集器件及其制作方法、指纹采集面板及显示面板，涉及显示技术领域，可在制作指纹采集器件时保证TFT的开关特性。该指纹采集器件包括设置在衬底基板上的TFT，以及与所述TFT的漏极相连的光敏二极管，所述TFT包括栅极、有源层、源极和所述漏极，进一步的，该指纹采集器件还包括：与所述源极和所述漏极之间的间隙相对设置的金属图案，所述金属图案设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧。该阵列基板可应用于指纹采集过程中。
- 一种晶圆级封装红外探测器-201821708146.1
- 马清杰;许正一;陈敏;吴多武 - 南京方旭智芯微电子科技有限公司
- 2018-10-19 - 2019-04-05 - H01L27/144
- 本实用新型涉及一种晶圆级封装红外探测器，属于半导体技术领域。该晶圆级封装红外探测器，包括：一盖子晶圆，在所述盖子晶圆的背面上设置有开窗区域、气体吸附区域以及围绕所述气体吸附区域和所述开窗区域的键合区域；所述气体吸附区域开设有用于涂覆气体吸附膜层的第一凹槽，所述键合区域设置有键合层。本申请实施例中，通过在气体吸附区域开设用于涂覆气体吸附膜层的第一凹槽，以便在第一凹槽的底壁和侧壁均涂覆气体吸附膜层，通过增加气体吸附剂(层)的面积来提高整个密封腔体的可靠性，进而提高设备的可靠性。
- 一种晶圆级封装红外探测器-201821708520.8
- 马清杰;许正一;陈敏;吴多武 - 南京方旭智芯微电子科技有限公司
- 2018-10-19 - 2019-04-05 - H01L27/144
- 本实用新型涉及一种晶圆级封装红外探测器，属于半导体技术领域。该红外探测器包括：一盖子晶圆，在所述盖子晶圆的背面上划分有开窗区域、气体吸附区域、PAD区域，以及围绕所述气体吸附区域、所述开窗区域和所述PAD区域的键合区域；所述气体吸附区域开设有用于涂覆气体吸附膜层的第一凹槽，所述键合区域设置有键合层，所述开窗区域涂覆有红外增透抗反射膜，所述PAD区域设有从背面向正面贯穿的通孔，所述通孔内填充有导电层，在所述导电层的两端面上设有PAD焊点。本申请实施例中，通过TSV通孔的方式将PAD从正面引出，避免了采用划片切割的方法将盖子晶圆两侧的PAD区域打开而导致PAD损坏的情况发生，提高了封装良品率。
- 可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器及其制备方法-201811151909.1
- 徐云;张林奥;吕龙锋 - 中国科学院半导体研究所
- 2018-09-29 - 2019-03-26 - H01L27/144
- 一种可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，包括：聚合物基底，探测器单元阵列，以及用于连接探测器单元阵列中的探测器单元的石墨烯互联电极；所述探测器的制备方法包括：步骤A：生长外延片；步骤B：用步骤A所生长的外延片制备出台面型探测器单元；步骤C：在步骤B所制备的探测器表面旋涂柔性聚合物材料；步骤D：在步骤C完成后的探测器表面用石墨烯旋涂并图形化，制成石墨烯互联电极；步骤E：在步骤D完成后的探测器表面旋涂未固化的柔性聚合物材料；步骤F：预记忆探测器的聚合物基底的立体形状；以及步骤G：将步骤E完成的探测器粘连在步骤F所完成预记忆的探测器的聚合物基底上，完成所述探测器的制备。
- 一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法-201811111578.9
- 陈立;樊子宇 - 深圳市乐夷微电子有限公司
- 2018-09-24 - 2019-03-22 - H01L27/144
- 本发明公开了一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法，所述光敏传感芯片结构包括芯片本体，所述芯片本体上设置第一光敏二极管和第二光敏二极管；还包括第一PMOS管和第二PMOS管；其中，所述第一光敏二极管的受光照区域覆盖遮光件；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接于正极，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相接；所述第一PMOS管的漏极与栅极相接、同时与第一光敏二极管的负极相接；所述第二PMOS管的漏极与第二光敏二极管的负极相接、同时接入电流放大器的输入端，该电流放大器的输出端即为信号输出端；所述第一光敏二极管的正极与所述第二光敏二极管的正极均接地。
- 光模块-201611084720.6
- 赵伟 - 广东海信宽带科技有限公司
- 2016-11-30 - 2019-03-12 - H01L27/144
- 本发明提供一种光模块，包括：光电转换单元、处理单元、第一电阻、二极管、电容、第二电阻和场效应管；其中，第一电阻的第一端分别与电容的第一端，以及场效应管的源极连接，第一电阻的第一端用于接入高电平，第一电阻的第二端与二极管的正极连接；二极管的负极分别与电容的第二端、场效应管的栅极，以及第二电阻的第一端连接，第二电阻的第二端接地；场效应管的漏极与光电转换单元的供电端连接；处理单元的输出端与二极管的正极连接，用于在在第一电阻的第一端接入高电平之后，向二极管的正极提供低电平。本发明提供的光模块在热插拔时不易受损。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
