[实用新型]半导体结构及测试系统有效

专利信息
申请号: 201821898448.X 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN209434149U 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 周源;张小麟;张志文;李静怡;王超;朱林迪;裴紫薇 申请(专利权)人: 北京燕东微电子科技有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种半导体结构及测试系统。该半导体结构包括:衬底;掺杂层,形成于所述衬底的第一表面;以及多个沟槽,每个所述沟槽贯穿所述掺杂层并延伸至所述衬底内,其中,所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽,每个所述第二沟槽用于形成相应的所述半导体器件的栅极,每个所述第一沟槽在所述掺杂层中限定并隔离出具有闭环边界的所述测试区。该半导体结构在形成半导体器件的同时形成测试区,测试区中包括掺杂层以及贯穿掺杂层的第一沟槽,使得掺杂层具有明确的边界,便于对半导体器件的体区电阻等关键参数进行更为准确的表征,从而提高产品的良率和可靠性。
搜索关键词: 掺杂层 半导体结构 半导体器件 测试区 衬底 测试系统 闭环 第一表面 关键参数 贯穿 电阻 良率 体区 隔离 延伸 申请
【主权项】:
1.一种半导体结构,用于形成至少一个半导体器件和至少一个测试区,其特征在于,所述半导体结构包括:衬底;掺杂层,形成于所述衬底的第一表面;以及多个沟槽,每个所述沟槽贯穿所述掺杂层并延伸至所述衬底内,其中,所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽,每个所述第二沟槽用于形成相应的所述半导体器件的栅极,每个所述第一沟槽在所述掺杂层中限定并隔离出具有闭环边界的所述测试区,每个所述测试区分别具有两个测试节点。
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  • A·V·舒杰葛洛夫;S·I·潘戴夫;J·M·马德森;A·库兹涅佐夫;W·D·米厄尔 - 科磊股份有限公司
  • 2015-05-08 - 2019-10-25 - H01L21/66
  • 本发明呈现用于仅基于所测量训练数据而创建测量模型的方法及系统。然后,使用所述经训练测量模型来直接根据所测量散射术数据计算重叠值。所述测量模型直接接收散射术信号作为输入并提供重叠值作为输出。在一些实施例中,根据设计规则结构的测量来确定重叠误差。在一些其它实施例中,根据专门化目标结构的测量来确定重叠误差。在又一方面中,所述测量模型经训练且用以除测量重叠以外还基于相同或不同度量目标而测量额外所关注参数。在一些实施例中,使用来自多个目标的测量数据、通过多个度量收集的测量数据或所述两种测量数据来进行模型构建、训练及测量。在一些实施例中,优化算法使测量模型构建及训练过程自动化。
  • 晶圆导电薄膜加工系统-201910669630.0
  • 刘相华 - 麦峤里(上海)半导体科技有限责任公司
  • 2019-07-24 - 2019-10-22 - H01L21/66
  • 一种晶圆导电薄膜加工系统,涉及半导体加工技术领域,所解决的是提高膜厚测量精度的技术问题。该系统包括工艺腔、传送腔,所述工艺腔中设有膜厚处理装置,所述传送腔上设有两个装载盒,传送腔内设有晶圆预对准装置、机械手;所述晶圆预对准装置包括预对准底座,及安装在预对准底座上的旋转托盘,预对准底座上设有旋转电机;所述预对准底座上固定有横梁,横梁上设有能沿旋转托盘的径向滑动的涡电流传感器,并且涡电流传感器位于旋转托盘的上方,横梁上设有用于导引涡电流传感器滑动的导轨,及用于驱动涡电流传感器滑动的横移驱动部件。本发明提供的系统,适用于晶圆导电薄膜的加厚或减薄。
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