[实用新型]低压化学气相沉积设备

摘要

本实用新型涉及半导体加工设备技术领域，公开了一种低压化学气相沉积设备，用于沉积多晶硅，包括底座、外管以及内管，外管设置在底座上，内管设置于外管的内部且用于提供沉积空间，在外管的内壁上形成有缓冲层。通过在外管的内壁上形成有缓冲层，使得沉积过程中形成的多晶硅不是直接形成在内壁上，而是形成在缓冲层上。在低压高温的LPCVD工艺中，形成在缓冲层上的多晶硅层因热膨胀所带来的应力集中作用到缓冲层上，减小外管所受的应力大小，外管不易产生裂痕。在每一次的设备维护和保养的过程中，无需更换外管，而只需将旧的缓冲层去除、再在外管的内壁上形成新的缓冲层，即可重复进行LPCVD工艺。外管不用报废，能够循环使用，减少浪费，大大降低了成本。

主权项

1.一种低压化学气相沉积设备，用于沉积多晶硅，其特征在于，包括：底座、外管以及内管，所述外管设置在所述底座上，所述内管设置于所述外管的内部且用于提供沉积空间，在所述外管的内壁上形成有缓冲层。