[实用新型]半导体功率模块的功率老炼装置有效
申请号: | 201820083119.3 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN207752977U | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 李迪伽;谢永梁;陈建功;李加取;元金皓 | 申请(专利权)人: | 深圳市振华微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙) 44320 | 代理人: | 黄莉 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型实施例提供一种半导体功率模块的功率老炼装置,包括电源、信号发生电路、驱动信号放大模块、隔离电源和多个连接模块,每个连接模块均设有分别用于连接待老炼的半导体功率模块的第一极、第二极和第三极的第一连接端、第二连接端和第三连接端,各连接模块串联设置,第一个连接模块的第一连接端还连接至电源的输出正极,而其他连接模块的第一连接端还均分别对应地连接前一个连接模块的第二连接端,最后一个连接模块的第二连接端还连接电源的输出负极,各连接模块的第三连接端还分别一一对应地连接相对应的一个驱动信号放大模块;各驱动信号放大模块一一对应地连接相对应的一个隔离电源,各驱动信号放大模块均连接至同一个信号发生电路。 | ||
搜索关键词: | 连接模块 连接端 放大模块 驱动信号 半导体功率模块 地连接 信号发生电路 隔离电源 老炼装置 电源 本实用新型 串联设置 连接电源 输出负极 输出正极 第三极 第一极 老炼 | ||
【主权项】:
1.一种半导体功率模块的功率老炼装置,其特征在于,包括电源、信号发生电路、驱动信号放大模块、隔离电源和多个用于一一对应地连接各待老炼的半导体功率模块的连接模块,每个连接模块均设置有用于连接待老炼的半导体功率模块的第一极的第一连接端、用于连接待老炼的半导体功率模块的第二极的第二连接端和用于连接待老炼的半导体功率模块的第三极的第三连接端,所述各连接模块串联设置,其中,第一个连接模块的第一连接端还连接至电源的输出正极,而其他连接模块的第一连接端还均分别对应地连接前一个连接模块的第二连接端,最后一个连接模块的第二连接端还连接电源的输出负极,各连接模块的第三连接端还分别一一对应地连接相对应的一个驱动信号放大模块;所述各驱动信号放大模块一一对应地连接相对应的一个隔离电源,每个所述驱动信号放大模块还均连接至同一个信号发生电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造