[发明专利]一种MWT太阳能电池的制备方法在审
| 申请号: | 201811616388.2 | 申请日: | 2018-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN109713053A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
| 发明(设计)人: | 刘晓瑞;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 朱磊 |
| 地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种电池的制备方法,尤其是一种MWT太阳能电池的制备方法,属于MWT太阳能电池组件加工技术领域。本发明MWT太阳能电池的制备方法,包括将硅片经打孔,制绒和扩散步骤后刻蚀再经过氧化退火,背钝化,正面镀膜,激光开槽,丝网印刷和烧结形成欧姆接触的步骤,最终得到MWT太阳能电池;所述刻蚀步骤去除硅片背面及四边侧面的磷硅玻璃,再加反应液进行碱抛光,得到反射率为40‑50%的背表面。本发明中槽式碱抛光工艺的硅片背面抛光效果比酸刻蚀工艺更优越,较低的减重,降低碎片风险;更高的背面反射率,提高长波段的内部反射效果,有利于钝化膜Al2O3的均匀沉积,提高对硅片的钝化效果,与现有技术相比,电池效率增益至少0.15%。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 制备 硅片背面 反射率 硅片 太阳能电池组件 加工技术领域 四边 电池效率 钝化效果 激光开槽 均匀沉积 刻蚀步骤 磷硅玻璃 内部反射 欧姆接触 抛光工艺 抛光效果 丝网印刷 氧化退火 烧结 背表面 长波段 钝化膜 酸刻蚀 打孔 抛光 槽式 镀膜 钝化 减重 刻蚀 去除 背面 电池 扩散 侧面 | ||
【主权项】:
1.一种MWT太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括将硅片经打孔,制绒和扩散步骤后刻蚀再经过氧化退火,背钝化,正面镀膜,激光开槽,丝网印刷和烧结形成欧姆接触的步骤最终得到MWT太阳能电池;所述刻蚀步骤去除硅片背面及四边侧面的磷硅玻璃,再加反应液进行碱抛光,得到反射率为40‑50%的背表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





