[发明专利]一种具有多级减振外框的体声波谐振器及其加工方法在审

专利信息
申请号: 201811573062.6 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN109660223A 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 鲍焦隆;李泽民;鲍景富;鲍飞鸿;李中豪;骆晓宝;苏应兵;欧阳添倍 申请(专利权)人: 浙江铭道通信技术有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/17
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 李林合;李蕊
地址: 322001 浙江省金华市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种具有多级减振外框的体声波谐振器及其加工方法,所述具有多级减振外框的体声波谐振器,包括支撑台,以及位于支撑台顶端的谐振体、外接输入电极、外接输出电极、外接地电极以及多级减振外框;外接输入电极和外接输出电极对称设置在支撑台顶端的两侧,且外接输入电极和外接输出电极的两侧均对称设置有外接地电极;谐振体设置在支撑台顶端的中心处,且其两侧分别通过对应的金属导线与外接输入电极和外接输出电极电性连接;多级减振外框围绕中心的谐振体均匀设置;本发明解决了现有技术存在的锚点损耗较大、品质因数难以提高以及可靠性低的问题。
搜索关键词: 外接 多级减振 外框 输出电极 输入电极 支撑台 体声波谐振器 谐振体 对称设置 接地电极 电性连接 金属导线 均匀设置 品质因数 中心处 锚点 加工
【主权项】:
1.一种具有多级减振外框的体声波谐振器,其特征在于,包括支撑台(1),以及位于支撑台(1)顶端的谐振体(2)、外接输入电极(3)、外接输出电极(4)、外接地电极(5)以及多级减振外框(6);所述外接输入电极(3)和外接输出电极(4)对称设置在支撑台(1)顶端的两侧,且外接输入电极(3)和外接输出电极(4)的两侧均对称设置有外接地电极(5);所述谐振体(2)设置在支撑台(1)顶端的中心处,且其两侧分别通过对应的金属导线与外接输入电极(3)和外接输出电极(4)电性连接,所述金属导线设置于支撑梁顶端;所述多级减振外框(6)围绕中心的谐振体(2)均匀设置。
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  • 王萍 - 南阳理工学院
  • 2019-05-08 - 2019-08-06 - H03H3/02
  • 本发明公开了一种窄支撑架高品质因数的压电谐振器,衬底的表面开有凹槽且所述衬底的表面固定有所述支持层,所述支持层与所述凹槽之间形成所述空气隙且所述空气隙内填充有空气,所述支持层的表面固定有所述底层电极,所述底层电极的表面固定有所述压电层,所述压电层的表面固定有所述上层电极,所述支持层的下方设有多个高阻抗材料层以及低阻抗材料层,所述高阻抗材料层以及低阻抗材料层间隔设置且所述高阻抗材料层以及低阻抗材料层的层数相同,所述高阻抗材料固定在所述衬底上,所述低阻抗材料的上表面固定有所述支持层,本发明还公开了一种窄支撑架高品质因数的压电谐振器的制备方法。本发明机械强度更高且品质因数更高。
  • 一种晶振的制造方法-201910374593.0
  • 冯广智;赵延民;李军;叶言明 - 中山市镭通激光科技有限公司
  • 2019-05-07 - 2019-08-02 - H03H3/02
  • 本发明公开了一种晶振制造方法,先准备陶瓷连板、晶片和盖板,对陶瓷连板进行加工,使陶瓷连板的一侧形成有若干个呈阵列分布的晶振基座后作表面金属化处理,将晶片固定在晶振基座内后和盖板一并固定于精密激光焊接机内,在特定条件下对每个晶振基座边缘进行扫描焊接,完成后移至激光切割机对盖板进行切割分离,再利用陶瓷激光划线机对陶瓷连板的另一侧切割划线或直接裂片成若干个单元,最后用裂片机将陶瓷连板中的每个晶振器件彻底分离,该方法使用激光整板焊接后再分离,有效地避免了晶振器件被烟尘污染导致失效风险,且封装效率更高。
  • 一种AlN SAW光电集成器件的制作方法-201611228236.6
  • 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2016-12-27 - 2019-08-02 - H03H3/02
  • 本发明涉及一种GaAs AlN SAW光电集成器件的制作方法,即将AlN SAW器件、InGaP HBT放大器、GaAs PN限幅器和GaAs pHEMT低噪放通过外延层设计,实现射频接收/发射前端的器件单片集成,从而使以下设想成为可能:在未来的射频通信中,射频信号进入射频接收/发射组件,通过AlN SAW实现滤波功能,滤波后的射频信号通过GaAs限幅器处理后,进入GaAs pHEMT低噪声放大器,利用pHEMT良好的噪声特性进行信号处理,送入后续的信号处理器件中,如混频器等;当进行信号发射时,可以利用GaAs pHEMT工艺制作开关,实现发射与接收模式的切换,也可用于输出功率不大的驱动放大器,而HBT器件制作功放芯片可用于发射端的功率放大器。
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