[发明专利]发光装置在审

专利信息
申请号: 201811486617.3 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109935666A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 李东建;金容一;李振燮 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L33/08 分类号: H01L33/08;H01L33/10;H01L33/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体发光装置包括:第一发光部分,其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层;第二发光部分,其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层;第三发光部分,其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层;第一粘合层,其布置在第一发光部分与第二发光部分之间;以及第粘合层,其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。
搜索关键词: 半导体堆叠件 布拉格反射器 分散式 发光 粘合层 半导体发光装置 发光装置
【主权项】:
1.一种半导体发光装置,包括:第一发光部分,其包括第一半导体堆叠件、布置在所述第一半导体堆叠件下方的第一下分散式布拉格反射器层和布置在所述第一半导体堆叠件上方的第一上分散式布拉格反射器层;第二发光部分,其包括第二半导体堆叠件、布置在所述第二半导体堆叠件下方的第二下分散式布拉格反射器层和布置在所述第二半导体堆叠件上方的第二上分散式布拉格反射器层;第三发光部分,其包括第三半导体堆叠件、布置在所述第三半导体堆叠件下方的第三下分散式布拉格反射器层和布置在所述第三半导体堆叠件上方的第三上分散式布拉格反射器层;第一粘合层,其布置在所述第一发光部分与所述第二发光部分之间;以及第二粘合层,其布置在所述第二发光部分与所述第三发光部分之间。
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  • 一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构及其制作方法-201810717487.3
  • 何苗;杨思攀;王润;赵韦人 - 广东工业大学
  • 2018-06-29 - 2018-09-28 - H01L33/08
  • 本发明公开了一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构及其制作方法,发光外延层包括位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列,且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层,其中,相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通,进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应,增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果,提高了紫外LED芯片的性能。此外,由于第二衬底的设置,使得更加容易将第二衬底和P型电极结构的剥离去除,而便于剩余发光结构转移连接至其他器件结构中。
  • 一种白光有机发光二极管-201721614803.1
  • 罗艳 - 四川九鼎智远知识产权运营有限公司
  • 2017-11-28 - 2018-09-07 - H01L33/08
  • 本实用新型公开了一种白光有机发光二极管。其包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层、介质层和玻璃面板,阳极层的折射率大于玻璃面板的折射率,介质层的折射率大于有机层的折射率,有机层包括呈矩阵分布在阴极层上的隔离层以及设置在多个隔离层之间的发光层,发光层的表面向下凹陷形成曲面,发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,应力缓冲层的晶格常数大于氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。本实用新型能够改善出射光的辉度不均匀现象。
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