[发明专利]一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811475197.9 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109360881A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 吕家将;吴毅;刘赣华;夏志平;王文超 | 申请（专利权）人： | 九江职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 郑州科硕专利代理事务所(普通合伙) 41157 | 代理人： | 侯立曼 |
| 地址： | 332005 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片及其制作方法，属于半导体发光器件技术领域，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，在p型半导体层上设有电流扩展层，在电流扩展层上设有绝缘隔离层，在绝缘隔离层上设有呈矩形阵列分布的n极通孔；在绝缘隔离层上并排设有多列p极通孔或者p极通槽，所述p极通孔或者p极通槽自上而下延伸至电流扩展层，沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构；实现了p极导电柱或者p极导电块连续性电性连接而形成p电极，n电极与p电极呈叉指电极结构形式；从而在不影响电流扩展性能的前提下，减小了LED有效发光面积的损失，提升了LED亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 电流扩展层 绝缘隔离层 叉指电极 通槽 阵列式 正装 半导体发光器件 矩形阵列分布 有效发光面积 叉指结构 电性连接 交替布置 扩展性能 影响电流 导电块 导电柱 发光层 衬底 多列 减小 制作 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，其特征在于，在p型半导体层上设有与p型半导体层电性连接的电流扩展层，在电流扩展层上设有与电流扩展层绝缘连接的绝缘隔离层，在绝缘隔离层上设有呈矩形阵列分布的n极通孔,所述n极通孔自上而下延伸至n型半导体层，在n极通孔内壁上设有绝缘隔离壁；在绝缘隔离层上并排设有多列p极通孔或者p极通槽，所述p极通孔或者p极通槽自上而下延伸至电流扩展层，沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构；在n极通孔内设有n极导电柱，同列n极导电柱电性连接后，每列n极导电柱在一端再进行电性连接而形成n电极，在p极通孔或者p极通槽内设有p极导电柱或者p极导电块，同列p极导电柱或者p极导电块电性连接后，每列p极导电柱或者p极导电块在另一端再进行电性连接而形成p电极。
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- 本申请提供一种倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法，在倒装发光二极管芯片的四周边缘位置设置N型金属电极层，在倒装发光二极管芯片中间部分设置P型金属电极层。即使倒装发光二极管芯片边缘的绝缘层破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路，出现漏电失效的情况。同时，通过发光层、P型半导体层以及P极金属层设置于倒装发光二极管芯片中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘，解决了传统倒装LED芯片的P电极N电极容易短路、无隔离槽设计的漏电风险。从而可有效降低漏电风险，提高了产品工作可靠性，提升产品良率。
- 一种提升LED性能的LED制备方法以及LED芯片-201711187616.4
- 杨丹;杨晓蕾;叶佩青;翁启伟;刘兆 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2017-11-24 - 2019-08-06 - H01L33/38
- 本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，图形化欧姆接触层为GaxIn(1‑x)N材质；在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层；其中，电流扩展层与欧姆接触层的厚度总和小于或等于
由于通过控制欧姆接触层中In和Ga组分，能够使其具有相对于电流扩展层更高的横向电导率、与第二型半导体层之间的欧姆接触特性以及合适的折射率、可见光波段下透射效果好等特性，使得本发明中能够采用图形化欧姆接触层代替部分厚度的电流扩展层实现电流扩展的功能从而提高LED芯片的出光率。
- 一种发光二极管芯片-201920199312.8
- 顾伟 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2019-02-15 - 2019-08-06 - H01L33/38
- 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，其包括：外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层、第二半导体层和衬底，且所述第一半导体层和所述第二半导体层的极性相异；透明导电层，形成于所述第一半导体层上；保护层，形成于所述透明导电层上；第一电极，包括第一焊盘和第一扩展条。本实用新型的优点在于：本发光二极管芯片电极包括焊盘和扩展条，而扩展条是经由通孔与透明导电层或半导体层形成电性连接，利用改变设置于扩展条下通孔的孔径尺寸，使距离该电极的焊盘较远的通孔的孔径尺寸较大，而使距离该电极的焊盘较近的通孔的孔径尺寸较小,有利于焊盘上的外加电流经由扩展条通过通孔均匀散布到整个芯片上，提高发光二极管的光、电性能。
- 倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法-201910471819.9
- 刘岩;闫宝玉;刘鑫;鲁洋;刘宇轩;陈顺利 - 大连德豪光电科技有限公司
- 2019-05-31 - 2019-08-02 - H01L33/38
- 本申请提供一种倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法。N型金属电极层延伸至N型半导体台阶边缘。发光层、P型半导体层以及透明导电层设置于倒装发光二极管芯片的中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘。即使当倒装发光二极管芯片的边缘出现裂痕破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路，出现漏电失效的情况。通过所述倒装发光二极管芯片制作方法的三次光刻，光刻制程次数减少，可以节约了光刻过程中涉及到的光刻胶、显影液等原料的使用成本，有效改善由于光刻胶残留带来的良率损失。
- 一种红外发光源的电极结构-201822104861.0
- 冯雪瑞;丁东民;杨拓 - 华润半导体（深圳）有限公司
- 2018-12-14 - 2019-07-30 - H01L33/38
- 本实用新型公开了一种红外发光源的电极结构，应用于长爬电光电耦合器，所述电极结构包括依次设置的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、黏合层、第一焊线层、第二焊线层、第三焊线层和第四焊线层。本实用新型提供的实施例在确保发光源芯片和受光器芯片隔离距离较长的基础上，能够实现更高的焊线工艺容宽，从而提高长爬电光耦焊线的可靠性。
- Micro LED器件及显示面板-201910282907.4
- 柳铭岗 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- 2019-04-10 - 2019-07-23 - H01L33/38
- 本发明提供一种Micro LED器件及显示面板。该Micro LED器件包括：N型层，所述N型层设置在沉积有缓冲层的衬底表面，所述N型层表面覆盖有有源层；P型层，所述P型层表面设置有透明导电层，所述P型层覆盖所述有源层；所述透明导电层的每条边与所述P型层对应的边界之间设置有预设距离，以增大所述Micro LED器件中的电流密度。本发明的Micro LED器件及显示面板将电流集中在器件的中心区域，增大了电流密度，并能够减少Micro LED器件在边缘区域的漏电流、非辐射复合现象，从而提高了Micro LED器件及显示面板的发光效率。
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