[发明专利]低漂移红外探测器

摘要

本申请提供了低漂移红外探测器。用于测量IR辐射的半导体器件(100)包括：至少一个传感器像素(10)；与IR辐射屏蔽的至少一个参考像素(20)，其包括加热器(23)；控制器(50)，适于：通过向加热器施加功率同时不加热传感器像素来测量响应度；测量未加热的像素的第一输出信号和加热的像素的第一参考输出信号；根据施加到加热器的功率的测量和第一输出信号与第一参考输出信号之间的差的测量来获得响应度；施加一段时间的冷却，直到参考像素和传感器像素的温度基本上相同；基于传感器与参考输出信号之间的差，通过使用响应度转换该差来生成指示IR辐射的输出信号。

主权项

1.一种用于测量源自半导体器件(100)外部的IR辐射的半导体器件(100)，包括：‑半导体衬底(2)，具有密闭地密封到所述衬底的盖(3)以封闭至少一个腔(12)，‑布置在所述腔(12)中的至少一个传感器像素(10)，所述至少一个传感器像素包括第一吸收器(11)并且适于生成指示传入IR辐射的传感器输出信号，所述第一吸收器(11)布置成用于接收所述IR，‑布置在所述腔(12)中的至少一个参考像素(20)，所述至少一个参考像素包括第二吸收器(21)和加热器(23)，所述加热器(23)用于通过向所述加热器施加功率来增加所述第二吸收器(21)的温度，其中所述参考像素(20)与所述IR辐射屏蔽，并适于生成指示施加到所述加热器的功率的参考输出信号，其中所述半导体器件(100)包括控制器(50)，所述控制器(50)适于：‑通过以下步骤来测量所述半导体器件的响应度：将功率施加到所述参考像素的所述加热器，同时不加所述热传感器像素，测量未加热的传感器像素或未加热的附加参考像素的第一输出信号和加热的参考像素的第一参考输出信号，根据施加到加热器的功率以及在所述第一输出信号与所述第一参考输出信号之间的差的测量来获得所述响应度，‑应用对所述参考像素的一段时间的冷却，直到所述参考像素的温度与所述传感器像素的温度基本上相同，‑基于所述传感器像素(10)的传感器输出信号与当所述传感器像素(10)的温度基本上等于所述参考像素(20)的温度时所测量的所述参考像素(20)的参考输出信号之间的差，通过使用所测量的响应度将所述差转换为指示所述IR辐射的输出信号来生成指示所述IR辐射的输出信号。