[发明专利]全自动非晶制程下蜡系统的工作方法在审
| 申请号： | 201811348213.8 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109216246A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 肖迪 | 申请（专利权）人： | 江苏利泷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种下蜡系统的工作方法，本下蜡系统的工作方法包括：加热放置有蜡贴非晶片的陶瓷盘；向非晶片表面喷射下蜡液；本发明实现了自动化控制下蜡的功能，克服了传统的需要人工搬运，对蜡贴非晶片进行人工揭落的问题，节省了人力、物力，并且提高了下蜡效率。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶片 自动化控制 表面喷射 人工搬运 传统的 陶瓷盘 非晶 蜡液 制程 加热 | ||
【主权项】：
1.一种下蜡系统的工作方法，其特征在于，包括：加热放置有蜡贴非晶片的陶瓷盘；向非晶片表面喷射下蜡液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
