[发明专利]一种多孔周期式二氧化钒结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811209718.6 申请日: 2018-10-17
公开(公告)号: CN109207929A 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 梁继然;苏天宇;张颖;杨治彬;张叶 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C23C14/18 分类号: C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/02;C01G31/02
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 琪琛
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种多孔周期式二氧化钒结构及其制备方法,采用自组装技术形成周期式SiO2阵列,采用磁控溅射的方式溅射钒薄膜,然后在快速退火炉中进行快速氧化退火,最后进行酸腐蚀形成周期式纳米颗粒VO2结构,在整个过程中没有其他物质的复合引入,制备过程简单,易于控制,实现VO2智能窗光学性能的提高。
搜索关键词: 二氧化钒 制备 退火 快速退火炉 磁控溅射 光学性能 快速氧化 纳米颗粒 制备过程 酸腐蚀 智能窗 自组装 溅射 薄膜 复合 引入
【主权项】:
1.一种多孔周期式二氧化钒结构,其特征在于,由以下方法制备:(1)蓝宝石基底的清洗:将蓝宝石片依次放入去离子水、丙酮以及无水乙醇中分别超声清洗,除去表面的有机杂质;再用去离子水洗净,最后将蓝宝石基片放入无水乙醇中备用;(2)周期式SiO2球的制备:将0.18g/ml的SiO2原液和无水乙醇按照1:6比例配成悬浮液,把清洗干净的玻璃引流片插入到去离子水表面,将SiO2混合溶液滴加在玻璃片上,形成SiO2单层排布阵列结构,将蓝宝石基底浸入至液面下,用镀膜提拉机缓慢提拉,提拉速度为20~150um/min,提拉完毕后在蓝宝石衬底上形成均匀排列的SiO2周期阵列结构;(3)制备钒薄膜:将步骤(2)得到的含周期阵列SiO2球的基片置于DPS‑Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,采用质量纯度为99.95%的金属钒作为靶材,以质量纯度为99.999%的氩气作为工作气体,在表面沉积厚度为100纳米的钒薄膜;(4)二氧化钒薄膜的制备:将步骤(3)制得的钒薄膜放于快速退火炉中进行快速氧化热退火;(5)二氧化钒纳米颗粒的制备:将步骤(4)得到的VO2薄膜放置于0.1mol/L的稀硝酸溶液里,浸泡0~8min,酸处理得到周期式分布的VO2纳米颗粒结构,浸泡完毕后使用去离子水冲洗样品表面,洗刷掉残留表面的杂质成分。
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说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

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