[发明专利]一种半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811123264.0 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957263A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 孙正庆 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一表面具有刻蚀停止层的衬底；S2：形成牺牲层于刻蚀停止层表面；S3：去除牺牲层位于预设区域以外的部分，并暴露出刻蚀停止层；S4：填充低K介电层于牺牲层被去除后留下的空间；S5：去除剩余的牺牲层，于所述预设区域留下一导电材料收容空间。本发明通过在低K介电层中预制牺牲层，然后在牺牲层上进行等离子体刻蚀形成用于金属互连的通孔与沟槽，避免了直接对低K材料进行通孔和沟槽刻蚀所造成的刻蚀损伤，从而防止低K介电层在刻蚀工艺中受到损伤而引起其介电常数K值上升，减小因K值上升导致的寄生电容显著增加问题，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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