[发明专利]一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件在审
| 申请号： | 201811094810.2 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109256427A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李轩;肖家木;邓小川;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、P‑body区、P+接触区、N+接触区、氧化层、侧栅、P‑shield区、金属电极、漏极；本发明提出的SiC MOSFET器件可以提升SiC MOSFET第三象限性能，实现了低的反向开启电压和导通损耗且避免双极退化问题，器件关断时槽底P‑shield区既可以屏蔽槽栅倒角处的电场，又可以保护槽底集成的肖特基界面，有效抑制这两处电场过大的现象，提高了器件整体电学特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 电场 接触区 导通损耗 电学特性 金属电极 开启电压 退化问题 有效抑制 保护槽 屏蔽槽 肖特基 氧化层 侧栅 衬底 倒角 关断 漏极 时槽 双极 象限 | ||
【主权项】：
1.一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于包括：N型衬底(12)、位于N型衬底(12)上方的N型外延层(10)、位于N型外延层(10)上方的P‑body区(20)、位于P‑body区(20)上方的P+接触区(21)和N+接触区(11)、位于P‑body区(20)之间的氧化层(4)和侧栅(3)、位于侧栅(3)下方的P‑shield区(22)、位于器件上方的金属电极(51)、位于器件下方且与N型衬底(12)形成欧姆接触的漏极(52)；金属电极(51)既与P+接触区(21)、N+接触区(11)欧姆接触形成器件源极，同时又在槽底与N型外延层(10)形成肖特基接触。
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