[发明专利]存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810871789.6 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110797455B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 季明华;洪中山;应战 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理有限公司 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种存储器件及其形成方法，本发明实施例的技术方案通过使得存储单元中的碳纳米管堆叠结构中的大部分碳纳米管的以基本一致的方式堆积，进而使得存储器件的置位/复位电压或电流受控，从而提高了存储器件的性能。同时，本发明实施例的形成方法与现有的半导体工艺兼容，易于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其特征在于，包括：/n半导体衬底；/n底电极，形成在所述半导体衬底上；/n顶电极，形成于所述底电极上方；/n碳纳米管堆叠结构，形成于所述底电极和所述顶电极之间，其中，所述碳纳米管堆叠结构中的大部分碳纳米管沿基本相同的方向延伸。/n
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