[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201810825657.X | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109658973B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 沈荣辅 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其操作方法。一种半导体器件包括：非易失性存储器，其包括均具有多个单元的正常区域、自修复区域和冗余区域；第一启动控制块，其适用于控制第一启动操作，以检测正常区域的有缺陷单元并且将有缺陷地址储存在第一锁存单元中；自编程控制块，其适用于控制自编程操作，以将储存在第一锁存单元中的有缺陷地址编程到自修复区域中；以及第二启动控制块，其适用于控制第二启动操作，以当自修复区域的数据与输入地址一致时，基于输入地址来读出正常区域的数据，同时输出冗余区域的数据而不是正常区域的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：非易失性存储器，其包括每个都具有多个单元的正常区域、自修复区域和冗余区域；第一启动控制块，其适用于控制第一启动操作，以检测所述正常区域的有缺陷单元并且将有缺陷地址储存在第一锁存单元中；自编程控制块，其适用于控制自编程操作，以将储存在所述第一锁存单元中的所述有缺陷地址编程到所述自修复区域中；以及第二启动控制块，其适用于控制第二启动操作，以当所述自修复区域的数据与输入地址一致时，基于输入地址来读出所述正常区域的数据，同时输出所述冗余区域的数据而不是所述正常区域的数据。
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