[发明专利]抗脱层半导体装置以及相关联的方法有效
| 申请号： | 201810695778.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216387B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 郭盈志;钟莹 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种抗脱层半导体装置包含导电层、半导体层和间隔件。所述导电层具有与第二侧相对的第一侧。所述半导体层处于所述第一侧上并且限定由所述导电层跨越的穿过所述半导体层的孔眼。所述间隔件处于所述第二侧上并且具有接近所述导电层的顶表面，所述顶表面限定由所述导电层跨越的盲孔。一种用于防止多层结构脱层的方法包含将第一层安置在衬底上使得所述第一层跨越所述衬底的孔眼的步骤。所述方法还包含将第二层安置在所述第一层上的步骤。所述第二层具有邻近所述第一层的盲孔，从而使得所述第一层跨越所述盲孔。 | ||
| 搜索关键词： | 抗脱层 半导体 装置 以及 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗脱层半导体装置，包括：导电层，具有与第二侧相对的第一侧；半导体层，处于所述第一侧上并且限定由所述导电层跨越的穿过所述半导体层的孔眼；和间隔件，处于所述第二侧上并且具有接近所述导电层的顶表面，所述顶表面限定由所述导电层跨越的盲孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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