[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件有效
| 申请号： | 201810450395.3 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108550670B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 吴俊德;李玉柱 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层，发光层与P型半导体层间配置有一空穴提供层，空穴提供层为氮化铟镓In |
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| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一N型复合半导体层；一发光层，位于所述N型半导体层上，并具有多重量子井结构，其中所述多重量子井结构由多个井层与多个阻障层交替堆叠而成；以及一P型复合半导体层，位于所述发光层上，其中所述P型复合半导体层之邻近于所述发光层的第一区的碳浓度高于所述P型复合半导体层之远离于所述发光层的第二区，且所述第一区的能隙大于所述多重量子井结构之所述井层的能隙。
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