[发明专利]一种Ni掺杂的BiVO4 有效
| 申请号： | 201810402955.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511198B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 邹吉军;孔德超;潘伦;张香文;王莅 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 杨兵 |
| 地址： | 300350 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Ni掺杂的BiVO |
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| 搜索关键词： | 一种 ni 掺杂 bivo base sub | ||
【主权项】：
1.一种Ni掺杂的BiVO4薄膜光电阳极，其特征在于，在电极本体上有一层Ni掺杂的BiVO4纳米颗粒构成的薄膜。
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