[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件

摘要

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0x1)，而应力控制层由AlxInyGa1‑x‑yN表示的材料所构成(0x1、0y1、0x+y1)，且发光层具有多个彼此交替堆叠的阱层及阻障层的多重量子阱结构，且每两层阻障层间具有一阱层。该半导体发光元件至少包含如上述的氮化物半导体结构，以及二相配合地提供电能的n型电极与p型电极。由此，应力控制层不仅可改善p型载子阻隔层与发光层因晶格失配所造成晶体质量劣化的问题；同时，更可减低阱层因材料差异所受的压缩应力。

主权项

1.一种氮化物半导体结构，包括：一第一型半导体层；一发光层；一AlInGaN基础的应力控制层；一AlGaN基础的载子阻隔层；以及一第二型半导体层，其中该AlInGaN基础的应力控制层配置于该发光层与该AlGaN基础的载子阻隔层之间，该AlGaN基础的载子阻隔层配置于该第二型半导体层与该AlInGaN基础的应力控制层之间。