[发明专利]一种高构型熵热电化合物及其设计方法与制备方法有效
| 申请号： | 201810280619.0 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108511589B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;杨东旺;鄢永高;柳伟;苏贤礼 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 唐万荣;李欣荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明首次提出了一种高构型熵热电化合物及其设计方法与制备方法，通过对阴‑阳离子构成的基础化合物，同时在其阴离子位及阳离子位实现“高熵化”，构建并制备出阴离子位及阳离子位均为多主元的高构型熵材料新体系。该材料体系可实现电、热的协同输运，从而大幅度提升热电性能等，为热电材料性能优化提供了一条全新思路和途径，应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 构型 制备 热电化合物 阳离子位 阴离子 热电材料性能 应用前景广阔 基础化合物 材料体系 热电性能 阳离子 高熵 构建 输运 主元 协同 优化 | ||
【主权项】：
1.一种高构型熵热电化合物，其特征在于，包括阴离子位元素和阳离子位元素，它为阴离子位和阳离子位均为多主元的高构型熵热电化合物；它在满足电中性的前提下，通过对阴-阳离子基础化合物的阴离子位和阳离子位同时引入多种电性相同的元素，且全部元素均能形成稳定单相的化合物而成；/n所述阴-阳离子基础化合物为类金刚石结构化合物、盐岩相结构化合物、Half-Heusler化合物、类ZrCuSiAs层状四方结构化合物、类CoSbS正交结构化合物或类FeAsS三斜结构化合物。/n
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