[发明专利]一种SiC纳米线的表面改性方法有效

专利信息
申请号: 201810037696.3 申请日: 2018-01-16
公开(公告)号: CN108117078B 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 张磊磊;郭瑶;李贺军;李克智 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C01B32/956 分类号: C01B32/956;B82Y30/00;C25D9/08;C25D7/00;C25D5/54;C25D5/18
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种SiC纳米线的表面改性方法,采用了球形碳和钙磷微米带对SiC纳米线进行表面改性,通过对球形碳的高温氧化和含水氧化复合处理,一方面促使球形碳的表面形成微小空隙结构,促进后续钙磷微米带渗入空隙并与球形碳形成机械结合,另一方面使得球形碳的表面形成了含氧官能团,促进了球形碳表面和钙磷微米带形成化学键结合。钙磷微米带组分一方面保持了钙磷相的化学组分,其化学组分与人体骨骼的无机物化学成分一致,可以有效提高SiC纳米线的生物活性。另一方面钙磷呈现微米带状,尺寸与人体骨骼的无机相的形貌也一致,可以有助于改善细胞响应行为及组织学反应行为。
搜索关键词: 一种 sic 纳米 表面 改性 方法
【主权项】:
一种SiC纳米线的表面改性方法,其特征在于步骤如下:步骤1:将SiC纳米线置于沉积炉中,通入流量为1.5~2.5升/分钟的氩气,然后以4~6度/分钟的升温速度升温至950~1100度,然后通入流量为0.8~1.2升/分钟的甲烷,保温5~15分钟后停止通入甲烷并关闭高温炉,随炉冷却得到产品A;步骤2:将电阻炉以4~6度/分钟的升温速度升温至400~500度,将产品A放置入电阻炉中高温处理10~60秒后得到产品B;步骤3:将产品B置于电阻炉中,通入流量为0.1~1.0升/分钟的氩气,然后以4~8度/分钟的升温速度升温至350~450度,然后以0.1~0.5毫升/分钟的速度向电阻炉中加入蒸馏水,保温5‑30分钟后停止加入蒸馏水并关闭电阻炉,随炉冷却得到产品C;步骤4:将磷酸二氢铵溶于去离子水中配制成1~3毫摩尔/升的溶液,然后按照硝酸钙和磷酸二氢铵的摩尔比为1.0~2.0加入硝酸钙,然后搅拌均匀得到溶液;步骤5:将产品C置于溶液中,然后加热至温度为60~70度,以产品C为电化学反应的阴极,以石墨片为电化学反应的阳极,阴极与阳极之间距离为10~30毫米,在阴极和阳极之间施加脉宽为10~50毫秒及脉间为150~300毫秒的脉冲电压1~2伏,电压施加的总时间为5~30秒,施加电压结束后得到产品E;步骤6:将产品E置于电阻炉中,通入流量为1.5~2.5升/分钟的氩气,然后以4~6度/分钟的速度升温至600~800度,保温10~30分钟后关闭电阻炉,随炉冷却后即完成SiC纳米线的表面改性。
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