[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810010463.4 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN110010684B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陈俊仁;吴典逸;林钰书 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法包括，首先提供一基底，该基底具有一第一区域以及一第二区域，然后形成一第一鳍状结构于第一区域上以及一第二鳍状结构于第二区域上，形成一浅沟隔离环绕第一鳍状结构以及第二鳍状结构，形成一掩模层于第一鳍状结构上，再进行一第一退火制作工艺使第一鳍状结构的曲率半径不同于第二鳍状结构的曲率半径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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