[发明专利]一种半导体键合线的温度系数补偿电路有效

专利信息
申请号: 201711456887.5 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108153367B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 苏强;彭振飞;奕江涛 申请(专利权)人: 广州慧智微电子有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 代理人: 李梅香;张颖玲
地址: 510663 广东省广州市高新技术产业*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种半导体键合线的温度系数补偿电路,所述补偿电路包括等效温控电阻模块和压控电流模块,所述等效温控电阻模块包括电流源、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和第一运算放大器,所述压控电流模块包括第二运算放大器和第三场效应晶体管;所述电流源接入所述第一场效应管的漏极,所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极连接,所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的源极连接,所述第三场效应管的漏极作为所述补偿电路的输出端;所述补偿电路的输出端向电流模式功率控制电路输入。
搜索关键词: 场效应管 场效应晶体管 补偿电路 漏极 温度系数补偿电路 运算放大器 电流模块 温控电阻 电流源 键合线 输出端 半导体 功率控制电路 电流模式 源极连接 栅极连接
【主权项】:
1.一种半导体键合线的温度系数补偿电路,其特征在于,所述补偿电路包括等效温控电阻模块和压控电流模块,所述等效温控电阻模块包括电流源、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和第一运算放大器,所述压控电流模块包括第二运算放大器和第三场效应晶体管;/n所述电流源接入所述第一场效应管的漏极,所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极连接,所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的源极连接,所述第三场效应管的漏极作为所述补偿电路的输出端;所述补偿电路的输出端向电流模式功率控制电路输入;所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极接地;所述第一运算放大器的输出端与所述第一场效应管或所述第二场效应管的栅极连接;所述第二运算放大器的输出端与所述第三场效应管的栅极连接;/n对所述第一运算放大器的输入端施加第一参考电压,且所述第一参考电压的电压值V
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