[发明专利]开关元件及开关元件的制造方法有效
| 申请号： | 201711384307.6 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108321204B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 山田哲也;大川峰司;森朋彦;上田博之 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王兆阳;苏卉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供开关元件及开关元件的制造方法，开关元件具备：半导体基板，具有第一n型半导体层、由外延层构成的p型的体层、通过体层而与第一n型半导体层分离的第二n型半导体层；栅极绝缘膜，覆盖跨及第一n型半导体层的表面、体层的表面及第二n型半导体层的表面的范围；及栅电极，隔着栅极绝缘膜而与体层相向。第一n型半导体层与体层的界面具有倾斜面。倾斜面以随着沿横向远离体层的端部而体层的深度变深的方式倾斜。倾斜面配置在栅电极的下部。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种开关元件，其特征在于，包括：半导体基板，具有第一n型半导体层、p型的体层及第二n型半导体层，所述第一n型半导体层露出于所述半导体基板的表面，所述p型的体层由露出于所述半导体基板的所述表面的外延层构成，所述第二n型半导体层露出于所述半导体基板的所述表面、且通过所述体层而与所述第一n型半导体层分离；栅极绝缘膜，覆盖跨及所述第一n型半导体层的表面、所述第一n型半导体层与所述第二n型半导体层之间的所述体层的表面及所述第二n型半导体层的表面的范围；及栅电极，隔着所述栅极绝缘膜而与位于所述第一n型半导体层和所述第二n型半导体层之间的所述体层相向，所述第一n型半导体层与所述体层的界面具有倾斜面，所述倾斜面以随着沿横向远离所述体层的端部而所述体层的深度变深的方式倾斜，所述倾斜面配置在所述栅电极的下部。
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