[发明专利]一种铜互连阻挡层材料用吡啶基Mn(Ⅱ)化合物有效

专利信息
申请号: 201711351136.7 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN108047274B 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 杜立永;余绍山;丁玉强 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: C07F13/00 分类号: C07F13/00;C07D213/74;C07F7/10;H01L23/532
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 张勇
地址: 214122 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种铜互连阻挡层材料用吡啶基Mn(Ⅱ)化合物,属于微电子材料技术领域。本发明所得到的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物可以用作CVD/ALD的前驱体,通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺,制备Mn基薄膜如MnSiOx。本发明的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物(1)合成方法简便,条件温和,大大降低了前驱体材料的合成成本;(2)在正己烷,甲苯,乙醚,二氯甲烷,四氢呋喃等有机溶剂中都有较好的溶解性,使得材料运输,输送,加工过程变得简便易操作;(3)有良好的挥发性和热稳定性,常压下三甲基硅氨基吡啶锰前驱体的T50为255℃,最小残余量达3.3%;(4)具有良好的成膜性能,三甲基硅氨基吡啶锰前驱体以N2为载气,O2为氧源450℃条件下,可形成良好的CVD MnSiOx膜。
搜索关键词: 一种 互连 阻挡 材料 吡啶 mn 化合物
【主权项】:
1.一种具有通式(Ⅰ)的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物:其中,R为氢原子、C1~C6烷基、C2~C5链烯基、C3~C10环烷基、C6~C10芳基或—Si(R1)3,R1为C1~C6烷基。
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