[发明专利]扇出型封装结构及其制备方法在审
| 申请号: | 201711282022.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN107993935A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
| 发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/283 | 分类号: | H01L21/283;H01L23/488;H01Q1/38 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明提供一种扇出型封装结构及其制备方法,所述扇出型封装结构包括重新布线层;半导体芯片,倒装装设于重新布线层的第一表面,且与重新布线层电连接;塑封材料层,位于重新布线层的第一表面,且将半导体芯片封裹塑封;天线组件,位于塑封材料层远离重新布线层的表面;电连接结构,位于塑封材料层内,且一端与所述重新布线层电连接,另一端于天线组件电连接;高频聚波弧镜,位于塑封材料层远离所述重新布线层的表面,且将天线组件封裹塑封,用于增加天线组件的天线增益;焊料凸块,位于重新布线层的第二表面,且与重新布线层电连接。本发明通过在天线组件的上方设置高频聚波弧镜,可以显著增加天线组件的天线增益。 | ||
| 搜索关键词: | 扇出型 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种扇出型封装结构,其特征在于,所述扇出型封装结构包括:重新布线层,包括相对的第一表面及第二表面;半导体芯片,倒装装设于所述重新布线层的第一表面,且与所述重新布线层电连接;塑封材料层,位于所述重新布线层的第一表面,且将所述半导体芯片封裹塑封;天线组件,位于所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面;电连接结构,位于所述塑封材料层内,且位于所述天线组件与所述重新布线层之间,所述电连接结构的一端与所述重新布线层电连接,另一端于所述天线组件电连接;高频聚波弧镜,位于所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面,且将所述天线组件封裹塑封,用于增加所述天线组件的天线增益;焊料凸块,位于所述重新布线层的第二表面,且与所述重新布线层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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