[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201711214421.4 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109599361B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 余德伟;陈建豪;张家敖;梁品筑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的制造方法，包括沉积一硅层，其包括位于多个条形体上方的第一部以及填入于条形体之间的沟槽内的第二部。条形体突出高于一基体结构。上述方法还包括实施退火而容许部分的硅层的第一部朝向沟槽的下部移动，并实施蚀刻而去除硅层的若干部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括︰沉积一第一硅层，其中该第一硅层包括：一第一部，位于突出高于一基体结构的多个条形体上方；以及一第二部，填入所述多个条形体之间的多个沟槽内；实施一第一退火而容许部分的该第一硅层的该第一部朝向所述多个沟槽的下部移动；以及对该第一硅层实施一第一蚀刻而去除该第一硅层的若干部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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