[发明专利]一种Mo-Si-C合金棒材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711091836.7 申请日: 2017-11-08
公开(公告)号: CN107760952B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 喻吉良;刘辉;张如;王晖;张文;李来平;郑欣;李延超 申请(专利权)人: 西北有色金属研究院
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C1/02;C22C1/10;B22F3/10
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710016*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种Mo‑Si‑C合金棒材,由以下原子百分比的原料制成:硅15%~25%,碳15%~35%,余量为钼和不可避免的杂质。另外,本发明还公开了制备该Mo‑Si‑C合金棒材的方法,该方法为:一、将原料粉末球磨后烘干,得到混合粉末;二、将混合粉末压制成型得到坯料,烧结处理得到Mo‑Si‑C合金烧结体;三、Mo‑Si‑C合金烧结体经电子束熔炼得到Mo‑Si‑C合金铸锭,切割成半成品棒材;四、半成品棒材经电子束区域熔炼得到Mo‑Si‑C合金棒材。本发明Mo‑Si‑C合金棒材具有纯度高和氧质量含量低的特点,具有极高的硬度和抗拉强度、优异的疲劳性能和高温强度,在超高温环境下有广阔的应用前景。
搜索关键词: 合金棒材 半成品棒材 合金烧结体 混合粉末 制备 超高温环境 电子束区域 电子束熔炼 原子百分比 合金铸锭 疲劳性能 烧结处理 原料粉末 熔炼 烘干 坯料 球磨 切割 应用
【主权项】:
1.一种Mo‑Si‑C合金棒材,其特征在于,由以下原子百分比的原料制成:硅15%~25%,碳15%~35%,余量为钼和不可避免的杂质;所述Mo‑Si‑C合金棒材的制备方法包括以下步骤:步骤一、将硅粉、碳粉和钼粉置于球磨机中,以无水乙醇为分散剂,在转速为200r/min~400r/min、球料比为(5~15):1的条件下球磨20h~40h,球磨后在真空条件下烘干,得到混合粉末;所述无水乙醇的体积为硅粉、碳粉和钼粉总质量的1~3倍,无水乙醇体积的单位为mL,硅粉、碳粉和钼粉总质量的单位为g;步骤二、将步骤一中所述混合粉末压制成型,得到坯料,然后将所述坯料置于烧结炉中,在真空度小于1×10‑2Pa的条件下进行烧结处理,随炉冷却后得到Mo‑Si‑C合金烧结体;所述烧结处理的温度为2000℃~2400℃,时间为1h~3h;步骤三、将步骤二中所述Mo‑Si‑C合金烧结体置于电子束熔炼炉中,在真空度小于1×10‑3Pa的条件下电子束熔炼2~4次,冷却后得到Mo‑Si‑C合金铸锭,然后将所述Mo‑Si‑C合金铸锭切割加工成半成品棒材;所述电子束熔炼的熔炼电流为2A~4A,熔炼电压为35kV~75kV;步骤四、对步骤三中所述半成品棒材进行打磨除去表面氧化皮,打磨后将所述半成品棒材在真空度小于1×10‑3Pa的条件下进行电子束区域熔炼,冷却后得到Mo‑Si‑C合金棒材;所述电子束区域熔炼的熔炼电流为3A~7A,熔炼电压为40kV~60kV。
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  • 本发明公开了一种碳化钼‑钼复合材料的制备方法,属于难熔金属制品制造领域,包括以下步骤:1)钼制品的清洁;2)准备碳源;3)装炉;4)高温处理:控制温度在1400~1900℃之间,保温时间1~15h;5)清洗干燥,得到碳化钼‑钼复合材料。本发明方法制备的Mo2C/Mo复合材料表面有原位反应生成的组织为致密Mo2C层,Mo2C/Mo复合材料既保留了高温下钼的高强度不宜碎的特点,又具备了碳化钼的高温化学性质稳定,高温抗腐蚀性能力强的特点。当纯钼或钼合金制品接触熔体时碳化钼层可以保护钼基体不被熔体腐蚀。可大幅提高纯钼或钼合金制品的服役寿命,节约保贵的稀有金属钼资源。
  • 一种耐磨耐蚀钼合金及其制备方法-201710439964.X
  • 周玉成;魏世忠;徐流杰;姚丽莹;肖利强;刘伟;李秀青;徐锐 - 河南科技大学
  • 2017-06-12 - 2019-02-05 - C22C27/04
  • 本发明涉及一种耐磨耐蚀钼合金及其制备方法。该耐磨耐蚀钼合金由以下体积百分比的组分组成:ZrO2 0.2~10%,Y2O3 0.05~1%,余量为钼。本发明提供的耐磨耐蚀钼合金,ZrO2作为弥散相加入钼合金,同时添加Y2O3稳定钼合金中的四方相ZrO2,阻止高温下ZrO2晶型转变,保证其塑韧性;合金中各组分配比合理、协同作用,在提高加工性能的同时,可以进一步提高钼合金再结晶温度和晶界强度,进而增强钼合金的高温抗蠕变性、抗磨损性以及抗侵蚀性能。
  • 钨合金屏蔽板及设置有钨合金屏蔽板的电子信息卡-201710014286.2
  • 温浩月 - 广州市华司特合金制品有限公司
  • 2017-01-10 - 2019-01-25 - C22C27/04
  • 本发明公开了一种设置有钨合金屏蔽板的电子信息卡,包括电子信息卡基体和设置于电子信息卡基体内的钨合金屏蔽板,电子信息卡基体包括芯片和/或磁条;钨合金屏蔽板按质量百分比计,包括组分:30%‑98%钨、1.23%‑40%镍、0.53%‑27%铜、0.24%‑3%钴、0.1%‑1.0%稀土。本发明还公开一种上述钨合金屏蔽板。本发明将具有优秀防辐射性能的钨合金屏蔽板设置于电子信息卡中,可防止电子信息卡信息被非法读取或干扰。
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