[发明专利]掺杂氧的碳化硅膜的基于远程等离子体的沉积

摘要

本发明涉及掺杂氧的碳化硅膜的基于远程等离子体的沉积。本发明公开了用于提供掺杂氧的碳化硅膜的方法和系统。掺杂氧的碳化硅层可以是在采用一种或多种具有一个或多个硅‑氢键和/或硅‑硅键的含硅前体的工艺条件下提供的。所述含硅前体还可以具有一个或多个硅‑氧键和/或硅‑碳键。处于实质上低的能量状态的一种或多种自由基物质可与含硅前体反应以形成掺杂氧的碳化硅膜。所述一种或多种自由基物质可在远程等离子体源中形成。

主权项

一种沉积掺杂氧的碳化硅(SiCO)膜的方法，所述方法包括：提供衬底；使一种或多种含硅前体流动到所述衬底上，其中所述一种或多种含硅前体中的每一者具有(i)一个或多个硅‑氢键和/或硅‑硅键，以及(ii)一个或多个硅‑氧键和一个或多个硅‑碳键；使源气体流入远程等离子体源中；以及在所述远程等离子体源中从所述源气体产生氢的自由基；以及将所述氢的自由基引入到所述衬底上，其中所述自由基中的至少90％是在实质上低的能量状态下的氢的自由基，所述在实质上低的能量状态下的氢的自由基在破坏硅‑氢键和硅‑硅键中的一者或两者但保留所述硅‑氧键和所述硅‑碳键的条件下与一种或多种含硅前体反应以在所述衬底上形成SiCO膜。