[发明专利]一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710760451.9 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN107501295B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 肖义;王赫麟;陈令成 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C07D498/22 分类号: C07D498/22;C07D519/00;H01L51/54
代理公司: 21208 大连星海专利事务所有限公司 代理人: 杨翠翠
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法,其属于有机合成技术领域。该材料为具有大共轭且空间扭曲的新型三苯二噁嗪酰亚胺衍生物。它采用在单溴或双溴三苯二噁嗪酰亚胺的6位和14位上引入较大共轭平面的芳香结构,分别与单硼酸芳香烃或单频哪醇硼酸酯芳香烃或单三丁基锡芳香烃,通过C‑C偶联的方法合成得到。新型三苯二噁嗪酰亚胺半导体材料在常用有机溶剂中具有优良的溶解度,在可见光区域具有强吸收,较高的摩尔消光系数,还具有良好的氧化还原特性和电子传输性能,可以应用于有机光电领域。
搜索关键词: 一类 三苯二噁嗪酰 亚胺 结构 半导体材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料,其特征在于,该材料的结构通式为:/n
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