[发明专利]双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管及其评价方法

摘要

本发明公开了晶体管领域内的一种双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管，包括半导体鳍，半导体鳍的沟道区上设有栅极氧化物，栅极氧化物上设有栅极金属层，半导体鳍包括顶面、底面以及两对称设置的侧面，侧面包括第一侧面和第二侧面，第一侧面的顶部连顶面，第一侧面的底部连第二侧面的顶部，第二侧面的底部连底面，本发明能够更加精确有效地模拟10nm尺度下的绝缘体上硅FinFET；FinFET类梯形截面形状具有更好的模拟特性、数字特性和频率特性，可用于FinFET生产制造中。

主权项

一种鳍型场效应晶体管的评价方法，其特征在于，包括以下步骤：1)设计双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管，包括半导体鳍，所述半导体鳍包括顶面、底面以及两对称设置的侧面，侧面包括第一侧面和第二侧面，第一侧面的顶部连顶面，第一侧面的底部连第二侧面的顶部，第二侧面的底部连底面，其中，所述第一侧面与底面之间的夹角为α，所述第二侧面与底面的夹角为β；2)设定形状因子γFin，γFin＝Wchannel/Schannel＝(Wtop+Wsidewalls)/Schannel其中，Wchannel为半导体鳍截面形状中沟道的有效宽度，Wtop为沟道顶的宽度，Wsidewalls为沟道两侧的宽度，有效宽度Wchannel＝Wtop+Wsidewalls，Schannel为截面沟道的面积，Schannel可根据Wtop、Wsidewalls、α、β计算获得；3)通过形状因子γFin配合半导体物理领域的连续性方程以及边界条件计算出形状因子γFin与器件性能的关系图；4)根据所述关系图评价具有双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管的性能。