[发明专利]一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法有效
申请号: | 201710499000.4 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN107180889B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高光吸收率的量子阱红外探测器,包括硅衬底、量子阱单元、上电极、上电极欧姆接触层、下电极,下电极欧姆接触层和绝缘层,所述硅衬底表面为三角形凹槽,所述量子阱单元沉积在所述硅衬底表面上,所述上电极通过上电极欧姆接触层和量子阱单元的最上层连接,所述下电极通过下电极欧姆接触层和量子阱单元的最下层连接,且所述下电极与所述硅衬底以及量子阱单元的其他层之间通过所述绝缘层进行隔离其中,欧姆接触层通过离子注入方式形成。本发明提供的量子阱红外探测器表面为三角形凹槽,使得入射到三角形凹槽其中一个面上的红外光被反射至另外一个面吸收,提高了红外光的吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 欧姆接触层 量子阱 下电极 电极 三角形凹槽 红外光 绝缘层 量子阱红外探测器 硅衬底表面 硅衬底 离子注入方式 光吸收率 吸收效率 最上层 最下层 入射 沉积 反射 隔离 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种制作提高光吸收率的量子阱红外探测器的方法,其特征在于,步骤如下:/nS01:在硅衬底表面上生长一层绝缘层;/nS02:以绝缘层为掩膜,将硅衬底放入碱性溶液中刻蚀,形成表面具有三角形凹槽的硅衬底,去除下电极所在位置以外的绝缘层;/nS03:采用外延生长法在含有三角形凹槽的硅衬底表面生长量子阱单元;/nS04:在量子阱单元的最上层边缘生长上电极,对位于上电极正下方的量子阱单元的最上层区域进行离子注入形成上电极欧姆接触层;/nS05:刻蚀绝缘层上方的量子阱单元,停止于绝缘层,形成凹槽,并且凹槽的横截面积小于绝缘层的横截面积,先在位于量子阱单元最下层以上的凹槽四周沉积绝缘层,再在凹槽中填充下电极,对下电极与量子阱单元最下层的接触区域进行离子注入,形成下电极欧姆接触层,其中,下电极通过下电极欧姆接触层与量子阱单元的最下层连接,下电极与所述硅衬底以及量子阱单元的其他层之间通过绝缘层进行隔离。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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