[发明专利]一种碳化硅场效应管的驱动模块有效
申请号: | 201710428946.1 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107094009B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 王建;徐鲲鹏;李涛;刘瑞;黄亮;吉栋;姚国旺;吴有超 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司 |
主分类号: | H03K17/26 | 分类号: | H03K17/26;H03K17/687 |
代理公司: | 北京兴智翔达知识产权代理有限公司 11768 | 代理人: | 张玉梅 |
地址: | 100192 北京市海淀区西小*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种碳化硅场效应管的驱动模块,包括:第一驱动电路、第一负压驱动电路以及第二负压驱动电路;第一驱动电路的输入端用于接收方波输入信号,当方波输入信号为高电平时,第一驱动电路的输出端输出高电平驱动电压;当方波输入信号为低电平时,第一负压驱动电路的输出端输出负电压信号;第二负压驱动电路的输入端与第一负压驱动电路的输出端相连接,第二负压驱动电路的输入端用于接收负电压信号,第二负压驱动电路的输出端与第一驱动电路的输出端相连接,在负电压信号的驱动下,第二负压驱动电路的输出端输出负压关断电压。本发明提供的碳化硅场效应管的驱动模块实现了负压驱动,保证了SiC MOSFET的关断效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 场效应 驱动 模块 | ||
【主权项】:
一种碳化硅场效应管的驱动模块,其特征在于,包括:第一驱动电路、第一负压驱动电路以及第二负压驱动电路;所述第一驱动电路的输入端用于接收方波输入信号,当所述方波输入信号为高电平时,所述第一驱动电路的输出端输出高电平驱动电压;所述第一负压驱动电路的输入端与所述第一驱动电路的输入端相连接,当所述方波输入信号为低电平时,所述第一负压驱动电路的输出端输出负电压信号;第二负压驱动电路的输入端与所述第一负压驱动电路的输出端相连接,所述第二负压驱动电路的输入端用于接收所述负电压信号,所述第二负压驱动电路的输出端与所述第一驱动电路的输出端相连接,在所述负电压信号的驱动下,所述第二负压驱动电路的输出端输出负压关断电压。
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